600V 12A N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet 12n60 to-220

Produktdetails
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Spannung: 600V
Aktuell: 12A
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Gründungsjahr
2004-12-07
Anzahl der Angestellten
234
  • 600V 12A N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet 12n60 to-220
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Grundlegende Informationen

Modell Nr.
12N60
Fertigungstechnologie
Diskretes Gerät
Typ
n-Halbleiter
Material
Metalloxid-Halbleiter
Paket
To-220
Anwendung
Leistungsschaltkreis
Modell
12n60
Chargennummer
2021
Marke
Wxdh
Transportpaket
Rohr
Warenzeichen
Wxdh
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Stück/Jahr

Produktbeschreibung

600V 12A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n60 to-220600V 12A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n60 to-220600V 12A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n60 to-220600V 12A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n60 to-220
 
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
12N60/I12N60/E12N60 F12N60
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle VDS 600 V
Maximale Gate-Drain-Spannung VGS ±30 V
Ablassstrom (kontinuierlich) ID(T=25ºC) 12 A
(T=100ºC) 7,5 A
Ablassstrom (Gepulst) IDM 48 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 720 MJ
Peak Diode Recovery dv/dt dv/dt 5 V/ns
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 150 42 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj 150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Niedriger WIDERSTAND (Rdson≤0.75Ω)
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 40nC)
Niedrige Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 10pF)
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
Anwendungen
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen für das System verwendet
Miniaturisierung und höhere Effizienz.
Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
12N60 TO-220C 12N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
F12N60 TO-220F F12N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
I12N60 TO-262 I12N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
E12N60 TO-263 E12N60 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 600V 12A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n60 to-220

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