62mm IGBT-Modul Dgb800h120L2t

• Fertigungstechnik: Diskrete Geräte
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Art: N-Typ-Halbleiter
• Paket: Module
• Anwendung: Welding, UPS, Three-Leve Inverter
• Modell: Dgb800h120L2t
• Modell Nr.: DGB800H120L2T
• Chargennummer: 2022
• Marke: Wxdh
• Spannung: 1200V
• Größe: 62mm
• Transportpaket: 62mm
• Spezifikation: 62mm
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

 
1 Beschreibung

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwendeten fortschrittliche Graben- und

Fieldstop Technologie Design, lieferte ausgezeichnete VCEsat und Switching

Geschwindigkeit, geringe Gate-Ladung. Entspricht der RoHS-Norm.

Funktionen

FS Grabentechnik, positive Temperatur
Koeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 2,25V
IC = 75A und Tj = 25 @ C.

Extrem verbesserte Lawinenleistung

Anwendungen

Schweißen

USV

Dreistufiger Wechselrichter

AC- und DC-Servoverstärker

 

Typ	VCE	IC	VCEsat,Tj=25ºC	Tjop	Paket
DGB600H120L2T	1200V	800A (Tj=100ºC)	1,7V (Typ.)	175ºC	62MM

Elektrische Eigenschaften
5,1Absolute maximale Nennwerte (IGBT) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)

PARAMETER			SYMBOL	WERT		EINHEIT
Kollektor-Emitter-Spannung			VCE	1200		V
Gate-zu-Emitter-Spannung			VGE	±20		V
DC-Kollektorstrom			IC  Tj=100ºC	800		A
Gepulster Kollektorstrom #1			ICM	1600		A

 

5,2 absolute maximale Nennwerte (Diode) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)

PARAMETER			SYMBOL	WERT		EINHEIT
Repetitive Spitzenspannung			VRRM	1200		V
Gleichstromblockspannung			VR	1200		V
Durchschnittlicher Korrigierter Durchlaufstrom			IF (AV)	800		A
Repetitiver Spitzenspannungsstrom			IFRM	1600		A

5,53IGBT Modul

PARAMETER			SYMBOL	WERT		EINHEIT
Temperaturbereich Für Die Verbindung			Tjmax	-45~175		ºC
Temperatur Der Anschlussstelle Bei Betrieb			Tjop	-45~150		ºC
Lagertemperaturbereich			Tstg	-45~125		ºC
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min			VISO	4000		A

5,4Thermal Merkmale (IGBT-Modul)

PARAMETER						SYMBOL	WERT		EINHEIT
Thermischer Widerstand Abzweigung zum Gehäuse						IGBT RthJC	0,037		ºC/W
						Diode RthJC	0,045		ºC/W