75A 650V 34mm Halbbrücken-IGBT-Modul

• Anwendung: Schweißen, USV
• Chargennummer: 2023
• Fertigungstechnologie: Design von Graben und Feldstopps
• Material: Verbindungshalbleiter
• Modell: Dga75h65m2t
• Paket: 34mm
• Modell Nr.: DGA75H65M2T
• Typisieren: N-Typ-Halbleiter
• Spannung: 650V
• Aktuell: 75A
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Kasten
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

1 Beschreibung
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwendeten ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologie-Design, das ausgezeichnete VCEsat und Switching bot
Geschwindigkeit, geringe Gate-Ladung. Entspricht der RoHS-Norm.

 

PARAMETER		SYMBOL	BEWERTUNG		EINHEIT
Kollektor-Emitter-Spannung		VCES	650		V
Gate- Emitter-Spannung		VGES	±30		V
DC-Kollektorstrom		IC(T=25ºC)	150		A
DC-Kollektorstrom		(TC=100ºC)	75		A
Gepulster Kollektorstrom		ICM	300		A
Max. Verlustleistung	TC=25ºC	PD	500		W
Thermischer Widerstand Abzweigung zum Gehäuse Lagertemperatur		Tj	150		ºC
		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: VCE_(Sat), Typ. = 1,9V
@ IC =40A UND VGE=15V

Extrem verbesserte Lawinenleistung

Anwendungen

Schweißen

Dreistufiger Wechselrichter

USV

AC- und DC-Servoverstärker