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75A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate, IGBT Dgc75f65m to-247

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247
Application: Inverter Welding Machine, UPS
Model: Dgc75f65m

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
DGC75F65M
Batch Number
2023
Brand
Wxdh
Spannung
650V
Aktuell
75A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Dgc75f65m to-24775A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Dgc75f65m to-24775A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Dgc75f65m to-24775A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Dgc75f65m to-247
PARAMETER SYMBOL BEWERTUNG EINHEIT
 
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 650 V
Gate- Emitter-Spannung VGES ±30 V
Kollektorstrom IC(T=25ºC) 150 A
Kollektorstrom   (TC=100ºC) 75 A
Gepulster Kollektorstrom ICM 225 A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS 75 A
Maximaler Durchlaufstrom Der Diode IFM 450 A
Gesamtableitung TC=25ºC PD 440 W
TC=100ºC PD 220 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -45~175 ºC
Lagertemperatur Tstg -45~175 ºC
 
Funktionen
FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,7V
@ IC =75A und Tj = 25 Grad
Extrem verbesserte LawinenfähigkeitExtremely
Anwendungen
Schweißen
Dreistufiger Wechselrichter
USV
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
DGC75F65M TO-247 DGC75F65M PB-frei Rohr 300/Karton
 75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Dgc75f65m to-247

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07