Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-247 |
Application: | Inverter Welding Machine, UPS |
Model: | Dgc75f65m |
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PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNG | EINHEIT | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 650 | V | ||
Gate- Emitter-Spannung | VGES | ±30 | V | ||
Kollektorstrom | IC(T=25ºC) | 150 | A | ||
Kollektorstrom | (TC=100ºC) | 75 | A | ||
Gepulster Kollektorstrom | ICM | 225 | A | ||
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom | WENN @TC = 100 GRAD CELSIUS | 75 | A | ||
Maximaler Durchlaufstrom Der Diode | IFM | 450 | A | ||
Gesamtableitung | TC=25ºC | PD | 440 | W | |
TC=100ºC | PD | 220 | W | ||
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -45~175 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -45~175 | ºC |
Funktionen |
FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient |
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,7V @ IC =75A und Tj = 25 Grad |
Extrem verbesserte LawinenfähigkeitExtremely |
Anwendungen |
Schweißen |
Dreistufiger Wechselrichter |
USV |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
DGC75F65M | TO-247 | DGC75F65M | PB-frei | Rohr | 300/Karton |
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