Fertigungstechnik: | Diskrete Geräte |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Art: | N-Typ-Halbleiter |
Paket: | to-220f |
Anwendung: | LED Power Switch Circuit,Electronic Ballast |
Modell: | F7n80 |
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PARAMETER | SYMBOL | WERT | EINHEIT | ||
7N80/I7N80/E7N80 | F7N80 | ||||
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle | VDS | 800 | V | ||
Maximale Gate-Drain-Spannung | VGS | ±30 | V | ||
Ablassstrom (kontinuierlich) | ID(T=25ºC) | 7 | A | ||
(T=100ºC) | 4 | A | |||
Ablassstrom (Gepulst) | IDM | 28 | A | ||
Single Pulse Avalanche Energy | EAS | 150 | MJ | ||
Peak Diode Recovery dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
Gesamtableitung | TA=25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
TC=25ºC | Ptot | 120 | 48 | W | |
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -55~150 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -55~150 | ºC |
Funktionen |
Schnelles Umschalten |
Niedriger WIDERSTAND |
Niedrige Gate-Ladung |
Geringe Kapazität Für Rückwärtsgang |
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test |
100 % ΔVDS-Test |
Anwendungen |
LED-Netzschalter-Schaltkreis |
Elektronisches Vorschaltgerät |
ATX-Stromversorgung |
Hochspannungs-H-Brücke PWM-Motorantrieb |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
7N80 | TO-220C | 7N80 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
F7N80 | TO-220F | F7N80 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
I7N80 | TO-262 | I7N80 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
E7N80 | TO-263 | E7N80 | PB-frei | Band Und Rolle | 800/Karton |
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