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800v 7A N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET F7n80 bis-220f **%aus

Fertigungstechnik: Diskrete Geräte
Material: Metal-Oxide Semiconductor
Art: N-Typ-Halbleiter
Paket: to-220f
Anwendung: LED Power Switch Circuit,Electronic Ballast
Modell: F7n80

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
F7N80
Chargennummer
2022
Marke
Wxdh
Spannung
800v
Aktuell
7A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000

Produktbeschreibung

800V 7A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off800V 7A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off800V 7A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off800V 7A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
7N80/I7N80/E7N80 F7N80  
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle VDS 800 V
Maximale Gate-Drain-Spannung VGS ±30 V
Ablassstrom (kontinuierlich) ID(T=25ºC) 7 A
(T=100ºC) 4 A
Ablassstrom (Gepulst) IDM 28 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 150 MJ
Peak Diode Recovery dv/dt dv/dt 5 V/ns
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 120 48 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Niedriger WIDERSTAND
Niedrige Gate-Ladung
Geringe Kapazität Für Rückwärtsgang
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
 
Anwendungen
LED-Netzschalter-Schaltkreis
Elektronisches Vorschaltgerät
ATX-Stromversorgung
Hochspannungs-H-Brücke PWM-Motorantrieb
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
7N80 TO-220C 7N80 PB-frei Rohr 1000/Karton
F7N80 TO-220F F7N80 PB-frei Rohr 1000/Karton
I7N80 TO-262 I7N80 PB-frei Rohr 1000/Karton
E7N80 TO-263 E7N80 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 800V 7A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07