• 8A 700V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dhdsj8n70 to-252b
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8A 700V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dhdsj8n70 to-252b

Anwendung: Leistungsschalter, Wechselrichter, elektrische Werkzeuge
Chargennummer: 2022
Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
Material: Metalloxid-Halbleiter
Modell: Dhdsj8n70
Paket: To-252b

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
DHDSJ8N70
Typisieren
N-Typ-Halbleiter
Spannung
700V
Aktuell
8A
Marke
Wxdh
Transportpaket
Tape, Reel
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Niedriger Widerstand (Rdson≤0.6Ω)
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 16nC)
Geringe Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 3,1pF)
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
Anwendungen
Leistungsfaktorkorrektur (PFC).
Schaltnetzteile (SMPS).
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).
AC/DC-Wandler
Telekommunikation
 
PARAMETER SYMBOL BEWERTUNG EINHEIT
DHSJ8N70/DHISJ8N70/DHESJ8N70/DHBSJ8N70/DHDSJ8N70 DHFSJ8N70  
Drian-to-Source-Spannung VDSS 700 V
Gate-zu-Source-Spannung VGSS ±20 V
Dauerstrom ID TC=25ºC 8 A
TC=100ºC 4,9 A
Gepulster Ablassstrom IDM 24 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 79 MJ
Verlustleistung TA=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 70 28 W
Isolationsspannung VISO / 2000 V
Temperaturbereich Für Die Verbindung Tj -55~150 ºC
Lagertemperaturbereich Tstg -55~150 ºC
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
DHSJ8N70 TO-220C DHSJ8N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
DHFSJ8N70 TO-220F DHFSJ8N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
DHBSJ8N70 TO-251 DHBSJ8N70 PB-frei Rohr 3000/Karton
DHDSJ8N70 TO-252 DHDSJ8N70 PB-frei Band Und Rolle 2500/Karton
DHISJ8N70 TO-262 DHISJ8N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
DHESJ8N70 TO-263 DHESJ8N70 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07