Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G30n120d to-247

• Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
• Typ: n-Halbleiter
• Material: Silizium
• Paket: To-247
• Anwendung: Inverter Schweißmaschine, ups
• Modell: G30n120d
• Modell Nr.: G30N120D
• Chargennummer: 2021
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	BEWERTUNG		EINHEIT
Kollektor-Emitter-Spannung		VCES	1200		V
Gate- Emitter-Spannung		VGES	±20		V
Kollektorstrom		IC(T=25ºC)	60		A
Kollektorstrom		(TC=100ºC)	30		A
Gepulster Kollektorstrom		ICM	90		A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom		WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS	30		A
Maximaler Durchlaufstrom Der Diode		IFM	90		A
Gesamtableitung	TC=25ºC	PD	227		W
	TC=100ºC	PD	91		W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	150		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: VCE_(Sat), Typ. = 2,2V
@ IC =30A UND VGE=15V

Hauptsächlich in Inverter Schweißmaschine verwendet, geeignet für Arbeitsfrequenz < 30kHz.

Anwendungen

Inverter-Schweißmaschine

Allgemeiner Frequenzumrichter

USV

Motorsteuerung

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
G30N120D	TO-247	G30N120D	PB-frei	Rohr	300/Karton