Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G40t60d to-3PN

• Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
• Typ: n-Halbleiter
• Material: Silizium
• Paket: To-3PN
• Anwendung: klimaanlage, Schweißgerät, USV
• Modell: G40t60d
• Modell Nr.: G40T60D
• Chargennummer: 2021
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	BEWERTUNG		EINHEIT
Kollektor-Emitter-Spannung		VCES	600		V
Gate- Emitter-Spannung		VGES	±20		V
Kollektorstrom		IC(T=25ºC)	80		A
Kollektorstrom		(TC=100ºC)	40		A
Gepulster Kollektorstrom		ICM	120		A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom		WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS	20		A
Maximaler Durchlaufstrom Der Diode		IFM	100		A
Gesamtableitung	TC=25ºC	PD	280		W
	TC=100ºC	PD	110		W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	150		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: VCE_(Sat), Typ. = 1,8V
@ IC =40A UND VGE=25V

Anwendungen

Schweißen

Klimaanlage

USV

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
G40T60D	TO-3PN	G40T60D	PB-frei	Rohr	300/Karton