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Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

Guangdong, China
Unternehmensart:
Handelsunternehmen
Hauptprodukte:
Igbt
Gründungsjahr:
2024-08-05
Die Anschrift:
No. 1519, Xinghai South Road, Zhuangshi Street, Zhenhai District, Shenzhen, Guangdong, China
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China Igbt hersteller / lieferanten und bietet qualität 1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet, 1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet, 1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet und so weiter.

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Gold Mitglied
Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

SiC Diode

Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 30 a [Bcw120d30d2]
Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 30 a [Bcw120d30d2]
FOB Preis: 1,11 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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Hocheffiziente Sic Schottky-Diode, 1200V, 30A [Bca120s30d2]
Hocheffiziente Sic Schottky-Diode, 1200V, 30A [Bca120s30d2]
FOB Preis: 1,05 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcm120s20d2]
Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcm120s20d2]
FOB Preis: 0,85 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcb120s20d2]
Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcb120s20d2]
FOB Preis: 0,85 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcb120s10d2]
Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bcb120s10d2]
FOB Preis: 0,52 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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1200V 10A Siliziumkarbid Schottky-Diode [Bca120s10d2], für hohe Energieeffizienz
1200V 10A Siliziumkarbid Schottky-Diode [Bca120s10d2], für hohe Energieeffizienz
FOB Preis: 0,65 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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650V 20A Siliziumkarbid Schottky-Diode Bcn65s20d3, für hohe Energieeffizienz
650V 20A Siliziumkarbid Schottky-Diode Bcn65s20d3, für hohe Energieeffizienz
FOB Preis: 0,55 $ / Stück
Mindest. Befehl: 50 Stücke
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Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bch120s10d2]
Hocheffiziente Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200V, 10A [Bch120s10d2]
FOB Preis: 0,42 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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SiC MOSFET

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet
1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet
FOB Preis: 0,78 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet
1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet
FOB Preis: 2,87 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet, Bcw120n80m1
Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet, Bcw120n80m1
FOB Preis: 4,83 $ / Stück
Mindest. Befehl: 30 Stücke
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SJ MOSFET

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet
FOB Preis: 1,05 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet
650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet
FOB Preis: 0,55 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bml60n120UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet mit niedriger EMI und niedrigem Schaltverlust
600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bml60n120UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet mit niedriger EMI und niedrigem Schaltverlust
FOB Preis: 0,55 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten
600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten
FOB Preis: 0,35 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI
Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI
FOB Preis: 0,13 $ / Stück
Mindest. Befehl: 10 Stücke
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Unternehmensprofil

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd
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Unternehmensart: Handelsunternehmen
Hauptprodukte: ‪Igbt‬
Gründungsjahr: 2024-08-05
Die Anschrift: No. 1519, Xinghai South Road, Zhuangshi Street, Zhenhai District, Shenzhen, Guangdong, China
Mit gekennzeichnete Informationen werden von SGS verifiziert

Das Unternehmen arbeitet unter dem Modell Smart IDM und konzentriert sich auf Design, Geräteentwicklung, Produktion, Vertrieb und Anwendungsdienste von Leistungshalbleiterchips der nächsten Generation. Es hat sich zum Ziel gesetzt, hochzuverlässige, leistungsstarke diskrete Geräte, Module und Board-Level-Lösungen in Branchen wie neue Energiefahrzeuge, Rechenleistung, Energiespeicher, Windenergie und industrielle Antriebe anzubieten. Zu den Produkten gehören Halbleiter-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Module der ...

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