Application: | Aerospace, Electronics, Medical, Refractory |
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Purity: | 95% |
Prozentsatz: | 97% or 99% |
Materialien: | Beryllium |
Farbe: | Weiß |
Durchschlagsfestigkeit: | >=20kV/mm |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Reines Beryllium (BeO) gehört zum kubischen Kristallsystem. Dichte ist 3,03g / cm3. Schmelzpunkt ist 2570 . Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Aluminium ist fast gleich mit Kupfer, Wärmeleitfähigkeit 200-250W / (Mk), gibt es eine gute thermische Schock-Beständigkeit. Dielektrische Konstante 6 ~ 7 (0,1MHz). Tangentialwert des dielektrischen Verlusts von ca. 4 × 10-4 (0,1GHz).
Berylliakeramik mit metallisiert:
Technologie:Verwendung von Dickfilm mit elektronischer Gülle.Diese Technologie könnte sicherstellen, dass die Oberfläche ist sehr zuverlässig, um elektronische Faktor kleben.Haftung der Elektrode und keramischen Substrat ist hoch, leitfähige Leistung der Silberelektrode ist
Ausgezeichnet, und es ist sehr einfach zu verschweißen.
Funktionen:
1.High Wärmeleitfähigkeit
2.High Isolierung
3.Hitzebeständigkeit
4.High elektrische Stärke
5.Easy zu verschweißen
Anwendung:
Hauptsächlich für Hochdruck, hohe Isolierung, Hochfrequenz, hohe Temperatur, hohe Zuverlässigkeit, Kleine elektronische Produkte. Einige der Anwendungsgebiete sind wie folgt aufgelistet:
1. Als Keramik-Platine für hochpräzisen Taktoszillator, spannungsgesteuerter Oszillator, Aufwärmoszillator.
2.Metallisierung Keramische Substrate für Kältemittel.
3. Metallisierung keramische Substrate für Oberflächenmontage induktive insrumpent. Metallisierung von Induktivitätskern-Elektroden.
4.Ceramic Leiterplatte für elektrische Steuereinheit
5.High Temperatur Schaltung Keramik-Platine, die unterirdisch Öl gut ist.
6. Solid State Relais Keramik Leiterplatten.
7.Ceramic Leiterplatte für DC-DC-Modul-Stromversorger.
8. Auto, Motorrad-Regler, Zündmodul.
9. Power Transmitter Modul.
Eigenschaften
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Bedingung
|
Einheit
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Wert
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Dichte
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G/cm3
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≥2,85
|
BEO-Reinheit
|
|
%
|
≥99
|
Zugfestigkeit |
|
MPa |
≥140 |
Linearer Ausdehnungskoeff. |
20-500 |
×10-4/ |
7-8,5 |
Thermische Koduktivität |
40 |
W/Mk |
≥250 |
Spezifische Wärme |
25 |
kal/ gm |
0,25 |
Härte |
60 |
Rockwell |
|
Dialektische Konstante |
1MHz 20 |
|
6,5-7,5 |
|
10GHz 20 |
|
6,5-7,5 |
|
1MHz 20 |
×10-4 |
≤4 |
|
10GHz 20 |
×10-4 |
≤8 |
Widerstand |
100 |
Ω cm |
≥1013 |
|
300 |
Ω cm |
≥1010 |
Dialektische Stärke |
DC |
KV/mm |
≥15 |
Chemische Stabilität |
1::9HCI UHR |
ug/cm2 |
≤0,3 |
|
10 % NaOH |
ug/cm2 |
≤0,2 |
Max. Betriebstemperatur
|
|
|
1800
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Trockenpresse;CIP;Heißpresse;Tunnelofen; Atmosphärenofen;zentrenloses Schleifen;Poliermaschine;Oberflächenschleifen;
Siebdruck&Bakig; 4 Achsen CNC und so weiter.
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