Hohe Wärmeleitfähigkeit Aluminiumnitrid Keramikwafer für Halbleiter

• Application: Aerospace, Electronics, Medical, Refractory
• Type: Ceramic Ring
• Volumenwiderstand: 1.4*10(14) Ω.Cm
• Biegefestigkeit: 450mpa
• Farbe: Hellgrau
• Durchschlagsfestigkeit: 18.45 Kv/mm
• Modell Nr.: INC-AlN201155
• Dielektrische Konstante: 8.56 (1MHz)
• Oberflächenrauheit: 0,3-0,5
• Wärmeleitfähigkeit: (25°c) 180 W/Mk
• Dichte: 3.31g/cm3
• Transportpaket: Standard Safety Cartons with Plastic Foams
• Spezifikation: Customized
• Warenzeichen: INNOVACERA
• Herkunft: Fujian, China
• Produktionskapazität: 200000 Piece/Pieces Per Month

Produktbeschreibung

Hohe Wärmeleitfähigkeit Aluminiumnitrid Keramikwafer für Halbleiter

 

Die Aluminiumnitrid (AlN) Keramik hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit (5-10-mal wie die Aluminiumoxidkeramik), niedrig

 

Dielektrische Konstante und Verlustfaktor, gute Isolierung und hervorragende mechanische Eigenschaften, ungiftig,

 

Hohe thermische Beständigkeit, chemische Beständigkeit und der lineare Ausdehnungskoeffizient ist ähnlich mit Si, das ist

 

Weit verbreitet in Kommunikationskomponenten, Hochleistungs-LED, elektrische elektronische Geräte und andere

 

Felder.Sonderspezifikation Produkte können auf Anfrage hergestellt werden.

 

 

PRODUKTLEISTUNG

- hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Biegefestigkeit, hohe Temperatur

- gute elektrische Isolierung

- niedrige dielektrische Konstante und Verlust

- kann Laser gebohrt, metallisiert, plattiert und gelötet werden

 

 

Produktmerkmale

 

1.einheitliche Mikrostruktur

2.hohe Wärmeleitfähigkeit* (70-180 WM-1K-1), maßgeschneidert über Verarbeitungsbedingungen und Additive

3.High elektrischen Widerstand

4.Wärmeausdehnungskoeffizient nahe dem Silizium

5.Resistance gegen Korrosion und Erosion

6.Excellent thermische Schock-Widerstand

7.chemisch stabil bis 980 Grad Celsius in H2 und CO2 Atmosphären, und in Luft bis 1380 Grad Celsius (Oberflächenoxidation

 

Tritt bei 780 Grad auf; die Oberflächenschicht schützt das Schüttgut bis 1380 Grad).

 

 

Anwendung

 

 

 

 

 

- RF / Mikrowellen Komponenten

- Leistungsmodul

- Leistungstransformatoren

- Hochleistungs-LED-Paket

 

 

 

 

- Laser Diode Sub-Montierungen

- LED Chip Sub-Mount

- Mikroelektronische Pakete

- Transistoren

 

 

 

 

- Substrate Mit Hoher Wärmeleitfähigkeit

 

Für LED und Leistungselektronik

 

- Substrate für Leistungselektronik

 

Eigenschaften Des Aluminiumnitrides-Materials
Material			ALN
Artikelnr			INC-AN180	INC-AN200	INC-AN220
Farbe			Grau	Grau	Beige
Hauptinhalte			96 % ALN	96 % ALN	97 % ALN
Hauptmerkmale			Hohe Wärmeleitfähigkeit, Ausgezeichnete Plasmabeständigkeit
Hauptanwendungen			Wärmeableitungsteile, Plasmawiderstandsteile
Schüttdichte			3,30	3,30	3,28
Wasseraufnahme			0	0	0
Vickers Härte (Last 500g)			10,0	9,5	9.
Biegefestigkeit			>=350	>=325	>=280
Druckfestigkeit			2500	2500	-
Young' Elastizitätsmodul			320	320	320
Poisson-Verhältnis			0,24	0,24	0,24
Bruchzähigkeit			-	-	-
Linearer Wärmeausdehnungskoeffizient	40-400degree	4,8	4,6	4,5
Wärmeleitfähigkeit	20degree	180	200	220
Spezifische Wärme			0,74	0,74	0,76
Temperaturbeständigkeit			-	-	-
Volumenwiderstand	20degree	>=10-14	>=10-14	>=10-13
Durchschlagsfestigkeit			>=15	>=15	>=15
Dielektrische Konstante	1MHz	9	8,8	8,6
Verlusttangente	*10-4	5	5	6

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