| Application: | Aerospace, Electronics, Medical, Refractory |
|---|---|
| Material Composition: | Alumina, Al2O3 |
| Speciality: | High Insulation, High Strength |
| Type: | Ceramic Plate |
| Dielektrische Konstante: | 1 MHz 20ºC 6.5~7.5 10 GHz 20ºC 6.5~7.5 |
| Plated Layer: | Ni, Cu, Au, etc |
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97 %, 99 % Beryllia (Beo)
Beschichtungsschicht: Molybdän-Mangan (Mo/Mn) T: 8~30μm
Beschichtete Schicht: Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Gold (Au), Etc. T: 2~9μm
Temperatur
Schmelztemperatur: 2530
Die Langzeitarbeitstemperatur im Vakuum erreicht 1800.
Die Temperatur in inerten Gasen erreicht 2000
Funktionen:
1. Hohe Wärmeleitfähigkeit
2. Hohe Schmelze
3. Hohe Festigkeit
4. Hohe Isolierung
5. Niedrige dielektrische Konstante
6. Geringer Dielektrischer Verlust
7. Gute Anpassungsfähigkeit des Verkapselungsprozesses
Anwendung:
Metallisierte Beryllium / Beryllia / Beo Keramik Teile
Das Beo-Keramiksubstrat wird häufig in High-Power-Mikrowellen-Geräten, Elektronik-Verpackungskomponenten, Leistungselektronik, Power-Dickschicht-Hybrid-integrierten Schaltungen, Elektrovakuum-Technologie, Kerntechnik, das Feld der Photoelektronen etc. Verwendet
Vorteil
BEO ist leicht, sehr steif und verfügt über hervorragende thermische Management-Eigenschaften - das heißt, es widersteht extremen Temperaturen und leitet schnell Wärme besser als jedes andere keramische Material ab. Die Wärmeleitfähigkeit von Beryllia ist zehnmal höher als die von Aluminiumoxid-Keramik, was sie in wärmeerzeugenden Schaltungen nützlich macht, wie z. B. bei solchen, die hohe Ströme oder sehr dichte Schaltungen tragen. Die niedrige Dielektrizitätskonstante von Beryllia ermöglicht eine verbesserte elektrische Leistung, insbesondere bei höheren Frequenzen.
| BEO Keramikeigenschaften | |||
| Eigentum | Bedingung | Einheit | Wert |
| Dichte | G/cm 3 | ≥2,85 | |
| BEO-Reinheit | % | ≥99 | |
| Zugfestigkeit | MPa | ≥140 | |
| Linearer Ausdehnungskoeff. | 20-500 | ×10 -4 / | 7-8,5 |
| Wärmeleitfähigkeit | 40 | W/m·k | ≥250 |
| Spezifische Wärme | 25 | kal/ C gm | 0,25 |
| Härte | 60 | Rockwell | |
| Dialektische Konstante | 1MHz 20 | 6,5-7,5 | |
| 10GHz 20 | 6,5-7,5 | ||
| 1MHz 20 | ×10 -4 | ≤4 | |
| 10GHz 20 | ×10 -4 | ≤8 | |
| Widerstand | 100 | Ω cm | ≥1013 |
| 300 | Ω cm | ≥1010 | |
| Dialektische Stärke | DC | KV/mm | ≥15 |
| Chemische Stabilität | 1:9HCl Uhr | g/cm 2 | ≤0,3 |
| 10 % NaOH | g/cm 2 | ≤0,2 | |
| Max. Betriebstemperatur | 1800 |
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