Hersteller 24 Mesh Schwarz Siliziumkarbid für Halbleitermaterialien

Produktdetails
Anpassung: Verfügbar
Natürliche Schleiftyp: Natürlicher Korund
Künstliche Schleiftyp: Siliziumkarbid-Schleifmittel
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Überblick

Grundlegende Informationen

Modell Nr.
Siliziumkarbid
Anwendung
Elektronisch
Funktion
Oberfläche Entgraten
Quelle
Künstliche Schleifmittel
Partikelgröße
Schleifmittel
Härte
Superabrasiv
Sic
98%
fe2o3
0.6%
Form
Pulver
Die freie Kohle
0.2%
Schüttdichte
1,42~1,50 g/cm3
Probe
Kostenlos
Farbe
Schwarz/Grün
Material
Quarzsandschar
Anteil
3,85g/cm3
Abrasive Korngrößen
12-220#
Pakettyp
25kg kleine PVC-Beutel in einem 1 mt großen Beutel Oder als Ihr r
H2O %
<0.5
Produktname
Siliziumkarbid
Lieferung
Meer
Transportpaket
Entsprechend den Anforderungen des Kunden
Spezifikation
Entsprechend den Anforderungen des Kunden
Warenzeichen
n/m
Herkunft
China
Produktionskapazität
30000ton

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

 

Schwarzes Siliziumkarbid wird hauptsächlich aus Quarzsand, Petrolkoks, geschmolzen durch above2500 Grad Cin der elektrischen Ofen. Die Härte liegt zwischen Korund und Diamant. Die Härte ist Korund überlegen, hat es die Funktion der Leitfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Es eignet sich für die Verarbeitung von Metallen und nichtmetallischen Materialien, wie Grauguss, Nichteisenmetall, Stein, Leder, Gummi, Und weiter. Es ist auch weit verbreitet in Feuerfestmaterialien, metallurgischen Additiven verwendet.
Wegen der Seltenheit von natürlichem Moissanit ist das meiste Siliziumkarbid synthetisch. Es wird als Schleifmittel und in jüngerer Zeit als Halbleiter- und Diamantsimulant von GEM-Qualität verwendet. Das einfachste Herstellungsverfahren besteht darin, Kieselsäuresand und Kohlenstoff in einem Acheson-Graphitofen mit elektrischer Beständigkeit bei hohen Temperaturen zwischen 1.600 und 2.910 2.500 Grad zu 4.530 kombinieren. Feine SiO2 Partikel in Pflanzenmaterial (z.B. Reisschalen) können durch Erhitzen des überschüssigen Kohlenstoffs aus dem organischen Material zu SiC umgewandelt werden. Der Silica-Rauch, der ein Nebenprodukt der Herstellung von Siliziummetall und Ferrosilicium-Legierungen ist, kann auch durch Erhitzen mit Graphit bei 1.500 Grad (2.730 Grad) zu SiC umgewandelt werden.
Synthetische SiC-Kristalle mit einem Durchmesser von ~3 mm.

Synthetische SiC Lely Kristalle
Das im Acheson-Ofen gebildete Material variiert in seiner Reinheit, je nach Abstand von der Wärmequelle des Graphitwiderstands. Farblose, hellgelbe und grüne Kristalle haben die höchste Reinheit und sind am nächsten zum Widerstand gefunden. Die Farbe wechselt in größerer Entfernung vom Widerstand zu blau und schwarz, und diese dunkleren Kristalle sind weniger rein. Stickstoff und Aluminium sind häufige Verunreinigungen und beeinflussen die elektrische Leitfähigkeit von SiC.
Reines Siliziumkarbid kann durch das sogenannte Lely-Verfahren hergestellt werden, bei dem SiC-Pulver zu Hochtemperatur-Arten aus Silizium, Kohlenstoff, Siliziumdikarbid sublimiert wird (SiC2), Und Disilicon Carbid (Si2C) in einer Argongasumgebungsluft bei 2500 Grad und wieder in flockenartigen Einzelkristallen, bis zu 2×2 cm groß, bei einem etwas kälteren Substrat abgelagert. Dieser Prozess liefert hochwertige Einkristalle, meist in der 6H-SiC-Phase (wegen hoher Wachstumstemperatur). Ein modifizierter Lely-Prozess, bei dem Induktionswärme in Graphittiegeln verwendet wird, führt zu noch größeren Einzelkristallen von 4 Zoll (10 cm) Durchmesser. Mit einem 81-mal größeren Schnitt im Vergleich zum herkömmlichen Lely-Verfahren.Cubic SiC wird in der Regel durch den teureren Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) angebaut.Homoepitaxiale und heteroepitaxiale SiC-Schichten können sowohl mit Gas- als auch mit Flüssigphasenansätzen angebaut werden.reines Siliziumkarbid kann auch durch die thermische Zersetzung hergestellt werden Eines Polymers, Poly(Methylsilyne), unter einer inerten Atmosphäre bei niedrigen Temperaturen. Im Vergleich zum CVD-Verfahren ist die Pyrolyse-Methode vorteilhaft, da das Polymer vor der Thermik in die Keramik in verschiedene Formen geformt werden kann.

Manufacturer 24 Mesh Black Silicon Carbide for Semiconductor Materials
Produktspezifikationen

 

Name Spezifikation Farbe Reinheit
Siliziumkarbid SiC-Pulver 500nm       Schwarz >99%
      Sic Pulver 500nm 1um       Schwarz >99%
Sic Pulver 500nm CAS 409-21-2 Preis 2~5um        Schwarz >99%
 
  F24 F36 F60 F80 F120 F180 F220
SIC 98,48 98,46 98,6 98,6 98,5 98,5 98,5
Fe2O3 0,32 0,31 0,28 0,32 0,26 0,31 0,33
FC 0,16 0,16 0,16 0,16 0,16 0,16 0,16
 
Grobes Körnung 20 15 9 22 15 5,6 9
Basalkörnung 49 65 67 63 49 59,4 72
Gemischte Körnung 76,5 84 90,2 77 82,5 81,4 88,5
Feine Körnung 0,3 0,1 0,3 0,5 0,4 0,5  

  F320 F400 F600 F800 F1000 F1200
SIC 98,5 98 97,55 97 97,24 97
Fe2O3 0,4 0,4 0,36 0,4 0,25 0,4
FC 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
 
DS3 49 32 19 14 10 7
DS50 29,2±1,5 17,3±1,0 9,3±1,0 6,5±1,0 4,5±0,8 3,0±0,5
ds95 16,5 8 3 2 1 1 (80 %)  
 
Gerätekatalog Menge Gerätekatalog Menge
16.500 Watt Raffinerieofen 3 "Star model"Brecher 15
22.500 Watt Raffinerieofen 1 Raymond Mill 2
Backenbrecher 6 Ultraschallsieben 20
Kugelmühle mit induziertem Zugzug 2 Säure-/Alkali-Reinigungsbehälter 60
Luftstromklassifizierer 15 Magnetabscheider 8

Verfügbare Korngröße (P, F)
P-SERIE: P24, P30, P36, P40, P50, P60, P80, P100, P120, P150, P180, P220, P240, P280, P320, P360, P400, P500, P600, P800, P1000, P1200, P1500, P2000, P2500, P3000
F-SERIE: F14, F16, F22, F24, F30, F36, F40, F46, F54, F60, F70, F80, F90, F100, F120, F150, F180, F220, F230, F240, F280, F320, F360, F400, F500, F600, F800, F1000, F1200


 
Detaillierte Fotos

 

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Anwendung

 

Manufacturer 24 Mesh Black Silicon Carbide for Semiconductor Materials
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Verpackung Und Versand

 

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Produktverpackung und -Lieferung:

1) 25kgs / Kunststoff gewebte Tasche und 40bags / Holzpalette.
2) 20kgs/Papiertüte und 50bags/Holzpalette.
3) 1mt/Schüttgutbeutel
4) maßgeschneiderte Verpackung
Die oben genannte Menge ohne Palette, die Ware wird innerhalb 7-15days nach Erhalt Ihrer Bestellung gesendet werden.






 

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