B0530W Oberflächenmontage Schottky-Diode

• Anpassung: Verfügbar
• Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
• Anwendung: Elektronische Produkte
• Modell Nr.: B0530W
• Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC, sgs
• Leuchtstärke: Standard
• Farbe: Schwarz
• Struktur: planar
• Stoff: Silizium
• Rohmaterial: cooper
• Transportpaket: Auf dem Seeweg, Verpackung
• Spezifikation: Do-123
• Warenzeichen: zg-Marke
• Herkunft: Auhui Province, China
• HS-Code: 8541100000
• Produktionskapazität: 50000000000000000000000000

Produktbeschreibung

Das Unternehmen verfügt über eine Vielzahl von Produkten mit vollständigen Spezifikationen, einschließlich transiente Spannungsunterdrücker (TVS), tss, General Rectifier (Std), schnelle Recovery Diode (FR), Hocheffizienz Gleichrichter (HER\UF), Super-schnelle Recovery-Diode (SF) und schottky-Diode (SKY). Das Hauptpaket umfasst SOD-123FL, SMA, SMB, SMC, DO-41, DO-15, DO-17, DO-27 und R-6 usw.

Was ist mit der Lieferung ?
In der Regel ist die Vorlaufzeit etwa 1-5 Wochen nach Erhalt der Zahlung. Für viele normale Teile haben wir die Menge auf Lager und wir haben das System, um sicherzustellen, dass die Lieferung pünktlich ist.
Wie sieht es mit den Zahlungsbedingungen aus?
 30 % Vorauszahlung und 70 % vor Versand.
 Wie sieht es mit den Versandbedingungen aus?
FOB Shanghai auf dem Seeweg;
Wir arbeiten auch mit DHL, FEDEX, TNT und etc. Für große Mengen, ist es an Ihnen, den Spediteur zu wählen und wenn Sie brauchen, könnten wir Ihnen helfen.
Kontakt:
Changzhou Zhongguang Electronic Co., Ltd
Hinzufügen: No,6 Hehong Road,Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, China.
 
 
Internet: zg-diode.en.made-in-china.com

	SYMBOLE	BA157	BA158	BA159		EINHEITEN
Maximale  repetitive  Peak -Rückwärtsspannung	VRRM	400	600	1000		V
Maximale  RMS-Spannung	VEFF	280	420	700		V
Maximale  DC -Sperrspannung	VDC	400	600	1000		V
Maximale durchschnittliche Vorwärtsgleichstrom  0,375 Zoll (9,5mm) Leitungslänge  bei TA=75  C	I (AV)	1,0				A
Spitzenstrom für Vorwärtsstoß 8,3ms einzelne halbe Sinuswelle überlagert auf  Nennlast  (JEDEC -Methode)	IFSM	30,0				A
Maximale  momentane Durchlassspannung bei  1,0A	VF	1,3				V
Maximaler  DC -Sperrstrom  bei  Nennspannung  DC	IR	5,0    100,0				μA
Maximale  Rückfahrzeit       (HINWEIS  1)	trr	150	250		300	ns
Typische Anschlusskapazität (HINWEIS 2)	CJ	15,0				PF
Typischer thermischer Widerstand  (HINWEIS 3)	RθJA	50,0				o  C/W
Betriebstemperaturbereich für Verbindungsstelle und Lagerung	TJ, TSTG	-55 bis  +150				o  C