Diode 1n4007s 1n4002s A-405 600-800V 1000V Universalgleichrichter

• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Application: Electronic Products
• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
• Luminous Intensity: Standard
• Color: Gray,Black
• Structure: Planar
• Modell Nr.: 1N4001S-1N4007S
• Material: Silicon
• Transportpaket: by Sea, Packaging
• Spezifikation: A-405
• Warenzeichen: ZG Brand
• Herkunft: Auhui Province, China
• HS-Code: 8541100000
• Produktionskapazität: 50000000000000000000000000

Produktbeschreibung

Das Unternehmen verfügt über eine Vielzahl von Produkten mit vollständigen Spezifikationen, einschließlich transiente Spannungsunterdrücker (TVS), tss, General Rectifier (Std), schnelle Recovery Diode (FR), Hocheffizienz Gleichrichter (HER\UF), Super-schnelle Recovery-Diode (SF) und schottky-Diode (SKY). Das Hauptpaket umfasst SOD-123FL, SMA, SMB, SMC, DO-41, DO-15, DO-17, DO-27 und R-6 usw.   Produktbeschreibung Detaillierte Fotos Zertifizierungen Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd . Wurde 2010 gegründet und erstreckt sich über eine Fläche von 20000 Quadratmetern, die sich in der Provinz Anhui in der Nähe von Shanghai befindet. Unser Unternehmen konzentriert sich auf die Entwicklung und Produktion von Diode, Gleichrichterdiode, mosfet, schottky Diode, schnelle Rückgewinnungsdiode,  Brückengleichrichter, Siliziumwafer, etc. Unsere Mission ist es, der wertvollste Halbleiterlieferant neben Ihnen zu sein. Willkommen, um uns für zukünftige Geschäftsbeziehungen und gemeinsamen Erfolg zu kontaktieren.

	Symbole	1N4001S	1N4002S	1N4003S	1N4004S	1N4005S	1N4006S	1N4007S	Einheiten
Maximale repetitive Peak-Rückwärtsspannung	VRMM	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
Maximale RMS-Spannung	VEFF	35	70	140	280	420	560	700	Volt
Maximale DC-Sperrspannung	VDC	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsgleichstrom @TA=75 ºC	I (AV)	1,0							Ampere
Spitzenstrom Vorwärtsströmung 8,3ms einzelne halbe Sinuswelle Überlast auf Nennlast (JEDEC-Methode)	IFSM	30,0							Ampere
Maximale Durchlassspannung bei 1,0A	VF	1,1							Volt
Maximaler DC-Sperrstrom TJ=25ºC bei Nennspannung DC-Blockierung TJ=100ºC	IR	5,0 50,0							μA
Typische Anschlusskapazität (Hinweis 1)	CJ	15,0							PF
Typischer thermischer Widerstand (Hinweis 2)	RθJA	26,0							ºC/W
Betriebstemperaturbereich	TJ	-55 bis +125							ºC
Lagertemperaturbereich	TSTG	-55 bis +150							ºC