Schnelle Wiederherstellung Gleichrichterdiode gehört zu den Hochfrequenz-Gleichrichterdiode Gleichrichterdiode, wird als die schnelle Wiederherstellung Diode bezeichnet, weil die allgemeine Gleichrichterdiode ist in der Regel in Niederfrequenz arbeiten (wie Netzfrequenz 50 hz), seine Arbeitsfrequenz unter 3 KHZ.
Schnelle Wiederherstellung Gleichrichterdiode gehört zu den Hochfrequenz-Gleichrichterdiode Gleichrichterdiode, wird als die schnelle Wiederherstellung Diode bezeichnet, dies ist, weil die allgemeine Gleichrichterdiode ist in der Regel in niedriger Frequenz arbeiten (wie Netzfrequenz 50 hz), die Arbeitsfrequenz ist niedriger als 3 kHz, Wenn Sie in ein paar bis mehrere hundert kHz Frequenz arbeiten, Spannungsänderung Richtung, Zeit zu langsam Erholung Zeit, gewöhnliche Gleichrichterdiode kann nicht normal, um einen einzigen Assistenten zu erreichen, dann mit schnellen Wiederherstellung schnelle Wiederherstellung Gleichrichterdiode.
Die Eigenschaften der schnellen Wiedergewinnung Diode ist seine Wiedergewinnung Zeit ist kurz, macht diese Funktion geeignet für hohe Frequenz (wie die TV-Line-Frequenz) Des Gleichrichters.Haben Sie eine schnelle Recovery-Diode bestimmt die Leistung der wichtigen Parameter der Reverse Recovery-Zeit.Reverse Recovery-Zeit ist definiert als scharfer Übergang zur Diode von Zustand zu Zustand, da Ausgang Puls bis Null, Um die Leistung wieder auf die maximale 10% der Zeit benötigt, um Strom umzukehren, häufig verwendete Symbole TRR Said.Ordinary schnelle Wiederherstellung Gleichrichterdiode TRR Andrew bynum für ein paar Sekunden (10-9 s), Super schnelle Recovery Diode TRR allgemein für Dutzende von Nanosekunden.je kleiner die TRR schnelle Recovery Diode Arbeitsfrequenz ist höher.
|
SYMBOLE |
SMB22S |
SMB23S |
SMB24S |
SMB25S |
SMB26S |
SMB28S |
SMB210S |
SMB215S |
SMB220S |
EINHEITEN |
Maximale repetitive Peak-Rückwärtsspannung |
VRRM |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
80 |
100 |
150 |
200 |
V |
Maximale RMS-Spannung |
VEFF |
14 |
21 |
28 |
35 |
42 |
56 |
70 |
105 |
140 |
V |
Maximale DC-Sperrspannung |
VDC |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
80 |
100 |
150 |
200 |
V |
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsgleichstrom Bei TL (siehe fig,1) |
I (AV) |
2,0 |
A |
Spitzenstrom für Vorwärtsstoß 8,3ms einzelne halbe Sinuswelle überlagert auf Nennlast |
IFSM |
50,0 |
A |
Maximale momentane Durchlassspannung bei 2,0A |
VF |
0,55 |
0,70 |
0,85 |
0,95 |
V |
Maximaler DC -Rückstrom TA=25 C. Bei Nennspannung DC -Blockierung TA=100 C. |
IR |
0,5 |
0,2 |
MA |
|
|
10,0 |
5,0 |
2,0 |
|
Typische Anschlusskapazität (HINWEIS 1) |
CJ |
120 |
90 |
PF |
Typischer thermischer Widerstand (HINWEIS 2) |
Rqja |
85,0 |
C/W |
Temperaturbereich für den Betrieb der Anschlussstelle |
TJ, |
-55 bis +125 |
-55 bis +150 |
C |
Lagertemperaturbereich |
TSTG |
-55 bis +150 |
C |




