ZG5N60 ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET, der unter Einsatz von Zhongxin Micro-Electronics's proprietären produziert wird. Der selbstausgerichtete planare Prozess und die verbesserte Klemmentechnologie reduzieren die Leitungsverluste, verbessern die Schaltleistung und erhöhen die Lawinenenergie. Der Transistor kann in verschiedenen Leistungsschaltungen für höhere Effizienz und Systemminiaturisierung eingesetzt werden. HAUPTMERKMALE
| VDSS |
600 |
V |
| ID |
4,0 |
A |
| RDS(EIN) |
2,0 |
Ω |
| Crs |
8 |
PF |
ABSOLUTE HÖCHSTWERTE (TC=25ºC)
| Parameter |
Symbol |
Wert |
Einheit |
| - Drain-Source-Spannung |
VDSS |
600 |
V |
| Setzt Den Ablassstrom Fort |
ID |
TC=25ºC |
4* |
A |
| TC=100ºC |
2,5* |
| ( 1) Ablassstrom (Hinweis 1) |
IDM |
16 |
A |
| Gate-zu-Source-Spannung |
VGS |
±30 |
V |
| ( 2) Single Pulsed Avalanche Energy (Hinweis 2) |
EAS |
218 |
MJ |
| ( 1) Lawinenstrom (Hinweis 1) |
IAR |
4,0 |
A |
| ( 1) Repetitive Avalanche Energy (Hinweis 1) |
OHR |
10 |
MJ |
| ( 3) Peak Diode Recovery (Hinweis 3) |
dv/dt |
4,5 |
V/ns |
| Verlustleistung |
PD TC=25ºC |
TO-251/TO-252 |
51 |
W |
| TO-220/TO-262 |
100 |
| TO-220F |
33 |
| Verlustfaktor Der Verlustleistung |
PD (DF) Über 25ºC |
TO-251/TO-252 |
0,39 |
W/ºC |
| TO-220/TO-262 |
0,8 |
| TO-220F |
0,26 |
| Betriebstemperaturbereich und Lagertemperatur |
TJ, TSTG |
150,-55~+150 |
ºC |
| Maximale Temperatur für Löten |
TL |
300 |
ºC |
THERMISCHER CHARACTERIASTIC
| Parameter |
Symbol |
Max |
Einheit |
| Thermischer Widerstand, Abzweigung zum Gehäuse |
RTH (j-c) |
TO-251/TO-252 |
2,5 |
W |
| TO-220/TO-262 |
1,25 |
| TO-220F |
3,79 |
| Thermischer Widerstand, Abzweigung zu Umgebung |
RTH (j-A) |
TO-251/TO-252 |
83 |
W/ºC |
| TO-220/TO-262 |
62,5 |
| TO-220F |
62,5 |
* * Drain Strom durch maximale Sperrschichttemperatur begrenzt ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN
| Off-Eigenschaften |
| Parameter |
Symbol |
Testbedingungen |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
| - Abflussquelle, Durchschlagspannung |
BVDSS |
ID=250ΜA, VGS=0V |
600 |
- |
- |
V |
| Temperaturkoeffizient Der Durchschlagspannung |
△BVDSS/△TJ |
ID=250μA, referenziert auf 25ºC |
- |
0,7 |
- |
V/ºC |
| Nullablassstrom Für Spannung |
IDSS |
VDS=600V,VGS=0V, TC=25ºC |
- |
- |
1 |
μA |
| VDS=480V, TC=125ºC |
- |
- |
10 |
| Leckstrom am Torgehäuse, vorwärts |
IGSSF |
VDS=0V, VGS =30V |
- |
- |
100 |
Entfällt |
| Leckstrom am Torgehäuse, Rückwärtsgang |
IGSSR |
VDS=0V, VGS = -30V |
- |
- |
-100 |
Entfällt |
| Ein-Merkmale |
| Parameter |
Symbol |
Testbedingungen |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
| Gate-Schwellenspannung |
VGS(th) |
VDS = VGS , ID=250ΜA |
2,0 |
- |
4,0 |
V |
| Widerstand Der Statischen Entleerungsquelle |
RDS(EIN) |
VGS =10V , ID=2,0A |
- |
2,0 |
2,5 |
Ω |
| Durchlassleitwert |
gfs |
VDS = 40V, ID = 2,0A (NOTE4) |
- |
4,0 |
- |
S |
| Dynamische Merkmale |
| Parameter |
Symbol |
Testbedingungen |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
| Eingangskapazität |
Ciss |
VDS=25V, VGS =0V, F=1,0MHZ |
- |
510 |
660 |
PF |
| Ausgangskapazität |
Coss |
- |
54 |
70 |
PF |
| Kapazität der Umkehrübertragung |
Crs |
- |
8 |
10 |
PF |
| Schalteigenschaften |
| Parameter |
Symbol |
Testbedingungen |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
| Einschaltverzögerung |
td(ein) |
VDD=300V, ID=4A, RG=25Ω (Hinweis 4,5) |
- |
16 |
42 |
ns |
| Anstiegszeit einschalten |
tr |
- |
48 |
112 |
ns |
| Abschaltverzögerung |
td(aus) |
- |
48 |
105 |
ns |
| Abschaltzeit |
tf |
- |
38 |
86 |
ns |
| Gesamtladezustand Des Gate |
Qg |
VDS =480V , ID=4A, VGS =10V (Hinweis 4,5) |
- |
15 |
20 |
NC |
| -Gate-Source-Ladung |
Qgs |
- |
2,8 |
- |
NC |
| -Gate-Drain-Ladung |
Qgd |
- |
6,8 |
- |
NC |
| - Eigenschaften der Diode für die Abflussquelle und maximale Nennwerte |
| Parameter |
Symbol |
Testbedingungen |
Min |
Typ |
Max |
Einheit |
| Maximaler Durchlassstrom Für Diode Mit Kontinuierlicher Abflussquelle |
IST |
- |
- |
4 |
A |
| Maximaler Impulsstrom Für Diode Mit Abflussquelle |
ISM |
- |
- |
16 |
A |
| Durchlassspannung Der Diode Mit Ablassquelle |
VSD |
VGS=0V, IS=4A |
- |
- |
1,4 |
V |
| Rückfahrzeit |
trr |
VGS=0V, IS=4A DIF/dt=100A/μs (Hinweis 4) |
- |
320 |
- |
ns |
| Rückfahrladung |
Qrr |
- |
2,4 |
- |
μC |
Hinweise: 1:Impulsbreite durch maximale Grenzschichttemperatur begrenzt 2:L=25MH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25Ω, START TJ=25ºC 3:ISD ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, Start TJ=25ºC 4:Pulstest: Pulsbreite ≤300μs, Tastgrad≤2 % 5:im Wesentlichen unabhängig von der Betriebstemperatur ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Kurven) 1. 2. Abb. 1 On-State-Eigenschaften Abb. 2 Übertragungseigenschaften 3. 4. Abb. 3 Spannungsabweichung vs. Temperatur Abb. 4 Schwankungen des On-Resistance-Widerstands im Vergleich zur Temperatur 5. 6. Abb. 5 Kapazitätseigenschaften Abb. 6 Gate-Ladeeigenschaften 7. 8. Abb. 7 Maximaler Sicherer Betriebsbereich Abb. 8 maximaler Ölwechselstrom vs. Gehäusetemperatur 9. (TO-251/TO-252) Abb. 9 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-251/TO-252) 10. (TO-220/TO-262) Abb. 10 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-220/TO-262) 11. (TO-220F) Abb. 11 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-220F) TESTEN VON SCHALTUNGEN UND SIGNALFORMEN 12. Fig,12 Prüfschaltung Für Resistive Schaltungen Und Signalformen 13. Fig,13 Gate-Ladetest, Schaltkreis Und Signalform 14. Fig,14 Nicht Eingespannte Induktive Schaltprüfung, Schaltkreis Und Signalformen TPACKAGE MECHANISCHE DATEN TO-251
| ABMESSUNG |
MILLIMETER |
ABMESSUNG |
MILLIMETER |
| |
|
|
|
| A |
2,2±0,5 |
H |
1,8±0,5 |
| |
|
|
|
| B |
5,2±0,25 |
I |
0,8±0,05 |
| |
|
|
|
| C |
5,3±0,25 |
J |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| D |
4,5±0,5 |
K |
2,3±0,25 |
| |
|
|
|
| E |
6,3±0,25 |
L |
0,5±0,1 |
| |
|
|
|
| F |
2,3±0,05 |
M |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| G |
0,6±0,05 |
N |
7,5±0,5 |
| |
|
|
|
TO-252
| ABMESSUNG |
MILLIMETER |
ABMESSUNG |
MILLIMETER |
| A |
2,2±0,5 |
I |
0,8±0,05 |
| |
|
|
|
| B |
5,2±0,25 |
J |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| C |
5,3±0,25 |
K |
2,3±0,25 |
| |
|
|
|
| D |
4,5±0,5 |
L |
0,5±0,1 |
| |
|
|
|
| E |
6,3±0,25 |
M |
0,508±0,015 |
| |
|
|
|
| F |
2,3±0,05 |
N |
1,5±0,25 |
| |
|
|
|
| G |
0,6±0,05 |
O |
1,0±0,25 |
| |
|
|
|
| H |
0,7±0,5 |
|
|
| |
|
|
|
TO-262
| ABMESSUNG |
MILLIMETER |
ABMESSUNG |
MILLIMETER |
| |
|
|
|
| A |
4,70±0,08 |
E1 |
7,85±0,08 |
| |
|
|
|
| A1 |
2,75±0,05 |
E |
2,54±0,05 |
| |
|
|
|
| C |
0,38±0,03 |
L |
14,00±0,08 |
| |
|
|
|
| C2 |
1,27±0,03 |
L1 |
1,275±0,05 |
| |
|
|
|
| D |
8,40±0,05 |
L2 |
3,75±0,08 |
| |
|
|
|
| D1 |
6,55±0,08 |
b |
0,80±0,05 |
| |
|
|
|
| E |
10,15±0,08 |
B2 |
1,22±0,05 |
| |
|
|
|
Hinweis Das Überschreiten der maximalen Leistung des Geräts kann zu Schäden am Gerät führen, auch zu einem dauerhaften Ausfall, der die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen kann. Es wird empfohlen, unter 80 Prozent der maximalen Bewertungen des Geräts verwendet werden. Achten Sie bei der Montage des Kühlkörpers auf das Verdrehmoment und die Laufruhe des Kühlkörpers. VDMOSFETs ist das Gerät, das empfindlich auf die statische Elektrizität ist, ist es notwendig, das Gerät vor Schäden durch die statische Elektrizität zu schützen, wenn es verwendet wird. Diese Veröffentlichung wird von Zhongxin Microelectronics erstellt und unterliegt regelmäßigen Änderungen ohne vorherige Ankündigung.
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