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etwa Leistungstransistor
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
  • Umfangreiche Fertigungskapazitäten

Leistungstransistor1,000+ Fabriken verifiziert

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 J.
·Handelsunternehmen
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Neue to-3p Leistungstransistor 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

Neue to-3p Leistungstransistor 2SA1941 2sc5198 A1941 C5198

0,239-0,418 $
50 Stücke(MOQ)
Originaltransistor 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Silizium PNP Leistungsverstärkertransistoren to-3p

Originaltransistor 2sc5200 2SA1943 1943 5200 Silizium PNP Leistungsverstärkertransistoren to-3p

1,00-1,238 $
500 Stücke(MOQ)
Original Irf3205 Mosfet Original Transistor Irf 3205 Leistungs-Mosfet-Transistor N-Kanal Irf3205pbf

Original Irf3205 Mosfet Original Transistor Irf 3205 Leistungs-Mosfet-Transistor N-Kanal Irf3205pbf

0,27-0,30 $
100 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Bux48A

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Bux48A

0,80 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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2n7002c N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Trench Leistung

2n7002c N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Trench Leistung

0,01 $
3.000 Stücke(MOQ)
1200V/20A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12020pm to-247AC Transistor

1200V/20A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12020pm to-247AC Transistor

1,465 $
600 Stücke(MOQ)
Kleiner PNP-Verstärker-Leistungstransistor 2sb1188b mit UL RoHS

Kleiner PNP-Verstärker-Leistungstransistor 2sb1188b mit UL RoHS

0,043 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/10A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12010c to-252 Transistor

1200V/10A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12010c to-252 Transistor

0,769 $
2.500 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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TO-92 Kunststoffverpackte Transistoren Diode Merkmale Anwendungen Leistung S8050 TRANSISTOR (NPN)

TO-92 Kunststoffverpackte Transistoren Diode Merkmale Anwendungen Leistung S8050 TRANSISTOR (NPN)

0,07-1,00 $
1 Stück(MOQ)
30V/75A 4.5mΩ Ru3075L Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

30V/75A 4.5mΩ Ru3075L Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

0,16-0,17 $
2.500 Stücke(MOQ)
60V/200A 2.8mΩ RU6199S-R Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

60V/200A 2.8mΩ RU6199S-R Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

0,40-0,42 $
4.000 Stücke(MOQ)
100V/8A/5W NPN Silizium-Leistungstransistoren, TO-220AB, 2N6045

100V/8A/5W NPN Silizium-Leistungstransistoren, TO-220AB, 2N6045

0,69 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Leistung Mosfet PNP NPN Transistoren SMD Triode Verstärker IGBT Transistor

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Leistung Mosfet PNP NPN Transistoren SMD Triode Verstärker IGBT Transistor

5,00 $
1 Stück(MOQ)
4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Nxsmd RF Leistung Hochspannungs Transistor 78L05

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Nxsmd RF Leistung Hochspannungs Transistor 78L05

5,00 $
1 Stück(MOQ)
2n3906 Silizium PNP Triode NPN Leistungstransistoren 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

2n3906 Silizium PNP Triode NPN Leistungstransistoren 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

5,00 $
1 Stück(MOQ)
2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Bester Leistungstetrode Audioverstärker SMD Transistoren Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Bester Leistungstetrode Audioverstärker SMD Transistoren Sot 23 J313

5,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Bdx53c Leistungstransistor - Ideal für Audioverstärker und Schaltanwendungen

Bdx53c Leistungstransistor - Ideal für Audioverstärker und Schaltanwendungen

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Irfz44n 55V 49A N-Kanal Leistungsmosfet to-220

Irfz44n 55V 49A N-Kanal Leistungsmosfet to-220

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Ncep40t13gu Leistungstransistor - 40V, 13A, Niedriger Einschaltwiderstand, hohe Effizienz

Ncep40t13gu Leistungstransistor - 40V, 13A, Niedriger Einschaltwiderstand, hohe Effizienz

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Ultra Kleines 30W AC-DC Strommodul #Hlk-30m05/09/12/15/24#85~265VAC/120-350VDC für Smart Home Kommunikationsgeräte

Ultra Kleines 30W AC-DC Strommodul #Hlk-30m05/09/12/15/24#85~265VAC/120-350VDC für Smart Home Kommunikationsgeräte

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
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BSC0702LS 60V 100A MOSFET-Leistungstransistor

BSC0702LS 60V 100A MOSFET-Leistungstransistor

0,17-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
BSC430N25NSFD BSC430N25NSFDATMA1 Transistor MOSFET N-KANAL 250V 36A LEISTUNGSTRANSISTOR

BSC430N25NSFD BSC430N25NSFDATMA1 Transistor MOSFET N-KANAL 250V 36A LEISTUNGSTRANSISTOR

4,00-72,00 $
100 Stücke(MOQ)
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V N-Kanal Power MOSFET Transistor

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V N-Kanal Power MOSFET Transistor

1,00-340,00 $
50 Stücke(MOQ)
IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S Leistung MOSFET P-CH 200V 11A Transistor

IRF9640STRLPBF IRF9640 IRF9640S Leistung MOSFET P-CH 200V 11A Transistor

0,70-15,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
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Hochspannungs-N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-Mosfet-Transistor

Hochspannungs-N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-Mosfet-Transistor

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Leistungsdiskrete Bauelemente SBD10C200T/F/D/S Schottky-Diode Transistor

Leistungsdiskrete Bauelemente SBD10C200T/F/D/S Schottky-Diode Transistor

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Leistungsdiskrete Bauelemente SBD20C100T/F/K/S Schottky-Diode Transistor

Leistungsdiskrete Bauelemente SBD20C100T/F/K/S Schottky-Diode Transistor

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Niedriger Leistungsverlust SBD20C200F Schottky-Diode hohe Effizienz Transistor

Niedriger Leistungsverlust SBD20C200F Schottky-Diode hohe Effizienz Transistor

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Hochleistungs-650V-IGBT-Transistor für effizientes Energiemanagement

Hochleistungs-650V-IGBT-Transistor für effizientes Energiemanagement

1,90-2,10 $
10 Stücke(MOQ)
Original CS3205b8 CS3205 60V 120A N-Kanal Leistung Mosfet Transistor

Original CS3205b8 CS3205 60V 120A N-Kanal Leistung Mosfet Transistor

0,25 $
100 Stücke(MOQ)
Originaltransistor Irfb7540pbf to-220 Mosfet-Leistungstransistor

Originaltransistor Irfb7540pbf to-220 Mosfet-Leistungstransistor

0,01-0,10 $
1 Stück(MOQ)
Originale Leistungstriode 120V 10A 2sb778 2SD998 Transistor B778 D998

Originale Leistungstriode 120V 10A 2sb778 2SD998 Transistor B778 D998

0,01-0,10 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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To220f 800W Einfach Dual N Kanal 30V Hersteller Telekom Leistungstransistor

To220f 800W Einfach Dual N Kanal 30V Hersteller Telekom Leistungstransistor

0,12-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Oriental Semi Grünmos Hochspannungs-Mosfet

Oriental Semi Grünmos Hochspannungs-Mosfet

0,35-0,60 $
600 Stücke(MOQ)
Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
Extrem schnelles Laden von Säulen mit Flyback-Wandlern und Ein-Schalter-Topologien für Leistungsmosfets

Extrem schnelles Laden von Säulen mit Flyback-Wandlern und Ein-Schalter-Topologien für Leistungsmosfets

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

5.0
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Fortschrittlicher Hochleistungs-GaN-RF-Leistungstransistor für Basisstationen und Mehrträgeranwendungen

Fortschrittlicher Hochleistungs-GaN-RF-Leistungstransistor für Basisstationen und Mehrträgeranwendungen

1,00 $
100 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-3300MHz-3800MHz-RF-Leistungsgantransistor für Basisstationen und Mehrträgeranwendungen

Hochleistungs-3300MHz-3800MHz-RF-Leistungsgantransistor für Basisstationen und Mehrträgeranwendungen

1,00 $
100 Stücke(MOQ)
Fortschrittlicher 2000MHz-4000MHz RF-Leistung GaN-Transistor für RF/Mikrowellensysteme und Basisstationenanwendungen

Fortschrittlicher 2000MHz-4000MHz RF-Leistung GaN-Transistor für RF/Mikrowellensysteme und Basisstationenanwendungen

1,00 $
100 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-Gute Leistung RF GaN Transistor für RF Mikrowellensysteme und Basisstationanwendungen sowie Radar- oder Drohnenstörmodul mit integriertem GaN

Hochleistungs-Gute Leistung RF GaN Transistor für RF Mikrowellensysteme und Basisstationanwendungen sowie Radar- oder Drohnenstörmodul mit integriertem GaN

1,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Hochleistungsdiode Gleichrichter Mosfet Transistor für Leistungsanwendungen

Hochleistungsdiode Gleichrichter Mosfet Transistor für Leistungsanwendungen

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
Vielseitiger Mosfet-Transistor für Standardmontage-Diodengleichrichteranwendungen

Vielseitiger Mosfet-Transistor für Standardmontage-Diodengleichrichteranwendungen

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
Haltbarer Powerpassion Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter für elektronische Projekte Transistor

Haltbarer Powerpassion Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter für elektronische Projekte Transistor

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
BTA16 600bw Mosfet N-Kanal Transistor 600V 170A to-220ab Röhrenliste BTA16-600bw

BTA16 600bw Mosfet N-Kanal Transistor 600V 170A to-220ab Röhrenliste BTA16-600bw

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen New Chip international Ltd

4 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Leistungstransistoren Mosfet-Transistoren

Leistungstransistoren Mosfet-Transistoren

0,20-0,60 $
1 Stück(MOQ)
N-Kanal Leistungs-Mosfet Neuer Original-IC

N-Kanal Leistungs-Mosfet Neuer Original-IC

0,20-0,60 $
1 Stück(MOQ)
Leistungs-Mosfet Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

Leistungs-Mosfet Irfp460pbf Irfp460 Irfp 460 Irfp250mpbf Irfp250m Irfp250 Irfp260npbf Irfp260n Irfp260

0,20-0,60 $
1 Stück(MOQ)
Spot Original Marke En-Serie Ausgangsregler Strommodul Chip DC Wandler

Spot Original Marke En-Serie Ausgangsregler Strommodul Chip DC Wandler

0,50-1,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Chengdu Canmeng Trading Co., Ltd

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2mbi600vn-120-50 Isolierter Gate-Bipolartransistor - Beschichtungsstromrichter

2mbi600vn-120-50 Isolierter Gate-Bipolartransistor - Beschichtungsstromrichter

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
2mbi400vb-060-50 Hochspannungs-Transistor - Hohe Leistungsbewertung

2mbi400vb-060-50 Hochspannungs-Transistor - Hohe Leistungsbewertung

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Marke Neu Original Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4 S-Emikron IGBT Modul Transistor

Marke Neu Original Skm50/75/100/150/300-Gal/GB12t4 S-Emikron IGBT Modul Transistor

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Brandneuer Original-Thyristor-Transistor

S-Emikron Skkd100/16 Skkd162/16 Skkd212/16 Brandneuer Original-Thyristor-Transistor

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

1,19-2,28 $
600 Stücke(MOQ)
Schottky-Diode 1A SOD-123 B130law B130law-7 B130law-7

Schottky-Diode 1A SOD-123 B130law B130law-7 B130law-7

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
Fabrikangepasster Es1a Ultra-Schnell-Rückführungsdiode

Fabrikangepasster Es1a Ultra-Schnell-Rückführungsdiode

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
Svf3878pn Silan Microagents Silan Spot Welding Machine MOS Tube 3878

Svf3878pn Silan Microagents Silan Spot Welding Machine MOS Tube 3878

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

1,75-1,78 $
1 Stück(MOQ)
S8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

S8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
Ss8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

Ss8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
2sc3356 RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Oberflächenmontage Sot-23-3

2sc3356 RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Oberflächenmontage Sot-23-3

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

0,22 $
5.000 Stücke(MOQ)
Niedrigfrequenzverstärker-Gehäuse bewerteter bipolaren NPN-Transistor D882 to-126

Niedrigfrequenzverstärker-Gehäuse bewerteter bipolaren NPN-Transistor D882 to-126

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
NPN epitaxial Siliziumtransistor Bu406 to-220c

NPN epitaxial Siliziumtransistor Bu406 to-220c

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Silizium NPN dreifach diffundierter Transistor 5200 to-3pl **%Rabatt

Silizium NPN dreifach diffundierter Transistor 5200 to-3pl **%Rabatt

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

3 J.
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B772equivalent SMD-Codes Transistoren

B772equivalent SMD-Codes Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Neue originale Halbleiter-Elektronikbauelemente Transistor Bt139b-600e

Neue originale Halbleiter-Elektronikbauelemente Transistor Bt139b-600e

0,18-0,35 $
10 Stücke(MOQ)
Neue originale elektronische Bauelemente diskrete Halbleitertransistoren Bla9h0912L-1200p

Neue originale elektronische Bauelemente diskrete Halbleitertransistoren Bla9h0912L-1200p

437,62 $
10 Stücke(MOQ)
Heißer Verkauf Original Halbleitertransistor Mosfet Irfb9n60apbf Irf9z24

Heißer Verkauf Original Halbleitertransistor Mosfet Irfb9n60apbf Irf9z24

1,60-1,99 $
10 Stücke(MOQ)
Neue originale elektronische Bauelemente Halbleiter-IC-Chips integrierte Schaltungen Mosfets Transistor Sum70040e-Ge3

Neue originale elektronische Bauelemente Halbleiter-IC-Chips integrierte Schaltungen Mosfets Transistor Sum70040e-Ge3

0,75-1,25 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

0,0034-0,0035 $
21.000 Stücke(MOQ)
Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

0,05 $
20.000 Stücke(MOQ)
2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

0,006 $
30.000 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-Sot-23 100V Mosfet für zuverlässige Schaltungsanwendungen

Hochleistungs-Sot-23 100V Mosfet für zuverlässige Schaltungsanwendungen

0,0105 $
42.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

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Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

0,02 $
1 Stück(MOQ)
Liste für elektronische Bauteile, integrierte Schaltungen, Kondensatoren, Widerstände, Steckverbinder, Leistungstransistoren, drahtlose und IoT-Module, Kristalle usw

Liste für elektronische Bauteile, integrierte Schaltungen, Kondensatoren, Widerstände, Steckverbinder, Leistungstransistoren, drahtlose und IoT-Module, Kristalle usw

0,005 $
1 Stück(MOQ)
Kaufe Online elektronische Bauteile Original 2sc5200/2SA1943 Transistor Audio Verstärker C5200 A1943 to-3pl integrierte Schaltungen

Kaufe Online elektronische Bauteile Original 2sc5200/2SA1943 Transistor Audio Verstärker C5200 A1943 to-3pl integrierte Schaltungen

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
2sc5200 Hochleistungs-NPN-Transistor-Audioverstärker der Klasse Bjt

2sc5200 Hochleistungs-NPN-Transistor-Audioverstärker der Klasse Bjt

0,03 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Macom pH3135-65m Radar gepulster Leistungstransistor 65W, 3.1-3.5 GHz

Macom pH3135-65m Radar gepulster Leistungstransistor 65W, 3.1-3.5 GHz

250,00 $
1 Stück(MOQ)
IC-Chips heiß begehrt Adl5561acpz-R7 Integrierte Schaltung Elektronikbauteil

IC-Chips heiß begehrt Adl5561acpz-R7 Integrierte Schaltung Elektronikbauteil

0,01-100,00 $
2 Stücke(MOQ)
Original Neu Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Integrierter Schaltkreis IC Chip auf Lager

Original Neu Fdn335 Transistor Sot-23-3 Fdn335n Integrierter Schaltkreis IC Chip auf Lager

0,69-2,69 $
1 Stück(MOQ)
Neue Mikrocontroller Elektronikkomponenten Elektronik Transistor W25q256fveig Originalverpackung

Neue Mikrocontroller Elektronikkomponenten Elektronik Transistor W25q256fveig Originalverpackung

0,10-0,90 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

12,11 $
10 Stücke(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

1,05 $
10 Stücke(MOQ)
1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

0,78 $
10 Stücke(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

0,55 $
10 Stücke(MOQ)
1/1

Beijing Jenerator Electronic Co.,Ltd

19 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Zuverlässiger Metallkeramischer Transistor 3cx2500h3 Leistungstriode für Hochfrequenzanwendungen (3CX2500F3, 3CX3000A7)

Zuverlässiger Metallkeramischer Transistor 3cx2500h3 Leistungstriode für Hochfrequenzanwendungen (3CX2500F3, 3CX3000A7)

500,00-900,00 $
1 Stück(MOQ)
Luftgekühlte Leistungstriode 3cx10000A7 Metallkeramisches Elektronenrohr mit hoher Qualität, gleichwertig zu Eimac-Rohr 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Luftgekühlte Leistungstriode 3cx10000A7 Metallkeramisches Elektronenrohr mit hoher Qualität, gleichwertig zu Eimac-Rohr 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1.300,00-1.700,00 $
1 Stück(MOQ)
Luftgekühlte 3cx10000A7 Metallkeramische Leistungstriode mit hoher Qualität (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Luftgekühlte 3cx10000A7 Metallkeramische Leistungstriode mit hoher Qualität (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1.300,00-1.700,00 $
1 Stück(MOQ)
Luftgekühlte Leistungstriode 3cx10000A7 Metallkeramische Oszillatorröhre mit hoher Qualität, gleichwertig zu Eimac Triode 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

Luftgekühlte Leistungstriode 3cx10000A7 Metallkeramische Oszillatorröhre mit hoher Qualität, gleichwertig zu Eimac Triode 3cx10000A7 (3CX15000A7, 3CX3000A7, 3CX20000A7)

1.300,00-1.700,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shen Zhen JYD Electronics Co., Ltd

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Tpw1500cnh 10V Gate-Ansteuerung Mosfet Transistor

Tpw1500cnh 10V Gate-Ansteuerung Mosfet Transistor

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
Neue und originale einzelne bipolare Transistoren NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

Neue und originale einzelne bipolare Transistoren NPN 25V 0.5A Sot-23 S8050

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
Neue und originale IC-Chip Dw01 Dw01V Sot23-6 für Lithium-Batterieschutz-IC-Chip

Neue und originale IC-Chip Dw01 Dw01V Sot23-6 für Lithium-Batterieschutz-IC-Chip

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
Original Neu FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A Leistungs-IGBT-Modul

Original Neu FF200r12kt4 IGBT 62mm 1200V 200A Leistungs-IGBT-Modul

68,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Antel Electronics (Shanghai) Co., Ltd.

24 J.
·Hersteller/Werk
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Toshiba Verstärkertransistor 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

Toshiba Verstärkertransistor 2SA1943 2sc5200 Tta1943 Ttc5200 2SA1941 2sc5198

0,50-0,55 $
1.000 Stücke(MOQ)
2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 Toshiba Audioverstärker Transistor

2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTA5200 2SA1941 2SC5198 Toshiba Audioverstärker Transistor

0,11-0,15 $
1.000 Stücke(MOQ)
Gleichrichterdiode-Spirale für das Laden von Batterien 70HFR120/70HF120

Gleichrichterdiode-Spirale für das Laden von Batterien 70HFR120/70HF120

1,016-1,02 $
500 Stücke(MOQ)
25HF120 25HFR120 Vorwärts- und Rückwärts-Siliziumgleichrichter 25A1200V Spiralgleichrichterdiode

25HF120 25HFR120 Vorwärts- und Rückwärts-Siliziumgleichrichter 25A1200V Spiralgleichrichterdiode

0,546-0,55 $
500 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Huakun Electrical Company Ltd.

23 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Faktor Leistungs-Korrektur-Kondensatorbank Thyristor Industrieelektronik Dioden, Transistoren Integration Dreiphasen 50kvar P7/P14 Reaktanzverhältnis

Faktor Leistungs-Korrektur-Kondensatorbank Thyristor Industrieelektronik Dioden, Transistoren Integration Dreiphasen 50kvar P7/P14 Reaktanzverhältnis

200,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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Neue und originale elektronische Bauelemente IC Leistungstransistor 2n3055

Neue und originale elektronische Bauelemente IC Leistungstransistor 2n3055

Verhandelbar
500 Stücke(MOQ)
1/4

Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.

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Tipp122 to-263-2L Energie Darlington Transistor

Tipp122 to-263-2L Energie Darlington Transistor

0,20 $
10 Stücke(MOQ)
Energie Darlington Transistor des Tipp142h Paket-to-263-2L

Energie Darlington Transistor des Tipp142h Paket-to-263-2L

0,28 $
10 Stücke(MOQ)
Energie Darlington Transistor Vceo 200V des Tipp142h Paket-to-220

Energie Darlington Transistor Vceo 200V des Tipp142h Paket-to-220

0,27 $
10 Stücke(MOQ)
Tipp127 to-252-2L Paket-Energie Darlington Transistor Mjd127

Tipp127 to-252-2L Paket-Energie Darlington Transistor Mjd127

0,17 $
10 Stücke(MOQ)

Wuxi Kingful Corporation., Ltd

9 J.
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68V N-Kanal Trench Leistung Mosfet to-263

68V N-Kanal Trench Leistung Mosfet to-263

0,13 $
2.500 Stücke(MOQ)
68V 82A N-Kanal Trench Leistung Mosfet to-252 Sjd68n058

68V 82A N-Kanal Trench Leistung Mosfet to-252 Sjd68n058

0,13-0,15 $
2.500 Stücke(MOQ)
4/6/8/12 Zoll Siliziumscheibe für Mosfet-Chips

4/6/8/12 Zoll Siliziumscheibe für Mosfet-Chips

650,00 $
1 Stück(MOQ)
-30vds/ ±25vgs/-12A ID P-Kanal Verstärkungsmodus Mosfet

-30vds/ ±25vgs/-12A ID P-Kanal Verstärkungsmodus Mosfet

650,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Core Hecheng Electronic Technology Co., Ltd.

5.0
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Mikrochip-Technologie Chip autorisierter Distributor Agent Raspberry Pi Cm5 RF-Transistoren S10A01 Samsung-SSD Zweite Elektronik SIM800L

Mikrochip-Technologie Chip autorisierter Distributor Agent Raspberry Pi Cm5 RF-Transistoren S10A01 Samsung-SSD Zweite Elektronik SIM800L

0,01 $
1 Stück(MOQ)
Esp32 Großhandels-Elektronik-Prototyping-Stromplatine Typ C FPC-Kabelsteuerung 18000 LED-Streifen LCD-Bildschirm Flexkabel GaN-Transistor elektronische Komponenten

Esp32 Großhandels-Elektronik-Prototyping-Stromplatine Typ C FPC-Kabelsteuerung 18000 LED-Streifen LCD-Bildschirm Flexkabel GaN-Transistor elektronische Komponenten

0,01 $
1 Stück(MOQ)
Ad7177 Dac0808 Elektronik & Elektrotechnik Doppel-Tap-Sensor PCB Original Neuer IC-Chip PCBA Layout Vishay Mosfet Transistor Leistung Pdfn Mems Beschleunigungssensor

Ad7177 Dac0808 Elektronik & Elektrotechnik Doppel-Tap-Sensor PCB Original Neuer IC-Chip PCBA Layout Vishay Mosfet Transistor Leistung Pdfn Mems Beschleunigungssensor

0,01 $
1 Stück(MOQ)
Analog Devices Adi Chip autorisierter Distributor Agent PWM-Schaltung Raspberry Pi Cm5 RF-Transistoren S10A01 Samsung-SSD

Analog Devices Adi Chip autorisierter Distributor Agent PWM-Schaltung Raspberry Pi Cm5 RF-Transistoren S10A01 Samsung-SSD

0,01 $
1 Stück(MOQ)
1/4
143
Heiße Produkte
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Stromversorgung
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