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etwa Sic-Mosfet
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
  • Umfangreiche Fertigungskapazitäten

Sic-Mosfet40+ Fabriken verifiziert

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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750V/1.25MΩ 630A 6 in einem Paket Sic Mosfet MD13HTC75p6he

750V/1.25MΩ 630A 6 in einem Paket Sic Mosfet MD13HTC75p6he

0,144 $
2.000 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-3300V N-Kanal Sic Mosfet für effizientes Energiemanagement Asc80n3300mt4

Hochleistungs-3300V N-Kanal Sic Mosfet für effizientes Energiemanagement Asc80n3300mt4

28,00 $
30 Stücke(MOQ)
Asc30n650mf3 to-220f 650V N-Kanal Transistor Siliziumkarbid (SiC) Mosfet

Asc30n650mf3 to-220f 650V N-Kanal Transistor Siliziumkarbid (SiC) Mosfet

1,85 $
500 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-750V/5.00 MΩ Sic Mosfet diskret ohne Diode Dm50c08t6

Hochleistungs-750V/5.00 MΩ Sic Mosfet diskret ohne Diode Dm50c08t6

1,10 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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68A 1200V N-Kanal Sic Leistungsmosfet Dcc080m120A to-247-3L

68A 1200V N-Kanal Sic Leistungsmosfet Dcc080m120A to-247-3L

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
650V 30A N-Kanal Sic Leistung Mosfet Dccf060m65g2 to-247-4L

650V 30A N-Kanal Sic Leistung Mosfet Dccf060m65g2 to-247-4L

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
5A 1700V N-Kanal Sic Leistung Mosfet Dccf1K0m170g1 to-247-4L

5A 1700V N-Kanal Sic Leistung Mosfet Dccf1K0m170g1 to-247-4L

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
120A 1200V N-Kanal Sic Leistungsmosfet Dcc016m120g2/Dccf016m120g2 to-247

120A 1200V N-Kanal Sic Leistungsmosfet Dcc016m120g2/Dccf016m120g2 to-247

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Extrem schnelles Schalten 1/3 Kosten der Gallium-Nitrid (GaN) Geräte Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet Halbleiter

Extrem schnelles Schalten 1/3 Kosten der Gallium-Nitrid (GaN) Geräte Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet Halbleiter

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
Oriental Semi Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (AN) -1.9milliohm Qg-144nc N-Kanal Leistung Mosfet

Oriental Semi Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (AN) -1.9milliohm Qg-144nc N-Kanal Leistung Mosfet

0,15-0,16 $
330 Stücke(MOQ)
Auto-Ladegerät Super Sic Aec-Q101 Qualifieaec-Q101 Motorsteuerung Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Schnelle Wiederherstellungsdiode Mosfet

Auto-Ladegerät Super Sic Aec-Q101 Qualifieaec-Q101 Motorsteuerung Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Schnelle Wiederherstellungsdiode Mosfet

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
Telekom Strom RoHS Hochfrequenzbetrieb Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet

Telekom Strom RoHS Hochfrequenzbetrieb Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
1200V SiC MOSFET Leistungsmodul, VDS: 1200V, ID: 91A, RDS(on) 22mΩ, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MC20UZ12ST

1200V SiC MOSFET Leistungsmodul, VDS: 1200V, ID: 91A, RDS(on) 22mΩ, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MC20UZ12ST

2,35 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/600A/2.8mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC600N1200MD3F

1200V/600A/2.8mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC600N1200MD3F

0,87 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/2.12 mΩ SiC MOSFET, N6, MD22HFC120N6HY

1200V/2.12 mΩ SiC MOSFET, N6, MD22HFC120N6HY

95,00 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

0,95 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 J.
·Handelsunternehmen
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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

12,11 $
10 Stücke(MOQ)
1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

2,87 $
10 Stücke(MOQ)
1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

0,78 $
10 Stücke(MOQ)
1/1

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

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SC16N120S7PD 1200V 101A N-Kanal SIC Leistung Siliziumkarbid MOSFET

SC16N120S7PD 1200V 101A N-Kanal SIC Leistung Siliziumkarbid MOSFET

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-Kanal SIC Leistung Siliziumkarbid MOSFET mit TO-247 Gehäuse

SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-Kanal SIC Leistung Siliziumkarbid MOSFET mit TO-247 Gehäuse

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
Siliziumkarbid-Mosfet SC40N120P 65A/1200V/40 Milliohm Mit TO-247 Gehäuse

Siliziumkarbid-Mosfet SC40N120P 65A/1200V/40 Milliohm Mit TO-247 Gehäuse

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
SC40N120S7PD SOT-227 Siliziumkarbid-MOSFET mit 40 Milliohm 1200V/65A Parameter

SC40N120S7PD SOT-227 Siliziumkarbid-MOSFET mit 40 Milliohm 1200V/65A Parameter

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
1/4

Plutosemi Co., Ltd

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1700V 45Ω N-Kanal sic Power MOSFET-Matrize

1700V 45Ω N-Kanal sic Power MOSFET-Matrize

11,00 $
10 Stücke(MOQ)
1700V 45mΩ N-Kanal sic Power MOSFET to-247-3

1700V 45mΩ N-Kanal sic Power MOSFET to-247-3

11,00 $
10 Stücke(MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Imza65r107m1hxksa1 Mosfet Siliziumkarbid to-247-4 Durchsteckmontage

Imza65r107m1hxksa1 Mosfet Siliziumkarbid to-247-4 Durchsteckmontage

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Hochfrequenzbetrieb diskrete Halbleiter Gleichrichter Sic Schottky-Diode C4d20120d C4d20120 für Wandler

Hochfrequenzbetrieb diskrete Halbleiter Gleichrichter Sic Schottky-Diode C4d20120d C4d20120 für Wandler

5,20-6,80 $
50 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Gleichrichter Sic Schottky-Diode DMF2822-000 für Detektoren

Diskrete Halbleiter Gleichrichter Sic Schottky-Diode DMF2822-000 für Detektoren

5,90-7,10 $
50 Stücke(MOQ)
1/4

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

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CE 1200kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

CE 1200kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

198.000,00-200.000,00 $
1 Satz(MOQ)
CE 600kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

CE 600kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

98.000,00-99.500,00 $
1 Satz(MOQ)
CE 100kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

CE 100kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

28.000,00-29.000,00 $
1 Satz(MOQ)
CE 1500kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

CE 1500kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

247.000,00-250.000,00 $
1 Satz(MOQ)
1/4

Henan Yumo New Materials Co., Ltd.

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver Formpulver grünes Material Stein Wasserstrahlschneiden Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver Formpulver grünes Material Stein Wasserstrahlschneiden Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

580,00-880,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver grünes Material Steinpolierflüssigkeit Siliziumkarbid-Sandkorn Schleifmittel

Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver grünes Material Steinpolierflüssigkeit Siliziumkarbid-Sandkorn Schleifmittel

580,00-880,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver Keramikgrad grünes Material Stein Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

Hochtemperaturleitfähiges Sic-Mikropulver Keramikgrad grünes Material Stein Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

580,00-880,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochtemperatur-Oxidationsbeständige Leitfähigkeit Sic Mikropulver Grünes Material Stein Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

Hochtemperatur-Oxidationsbeständige Leitfähigkeit Sic Mikropulver Grünes Material Stein Siliziumkarbid Sandkorn Schleifmittel

580,00-880,00 $
1 Ton(MOQ)
1/4

Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.

7 J.
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Innovative SiC-Materialverarbeitungssysteme für optimierte Fertigung

Innovative SiC-Materialverarbeitungssysteme für optimierte Fertigung

100.000,00-1.000.000,00 $
1 Stück(MOQ)
Qt-3108 Sw IGBT/Sic Dynamische Testsystem für Leistungshalbleiter

Qt-3108 Sw IGBT/Sic Dynamische Testsystem für Leistungshalbleiter

100.000,00-1.000.000,00 $
1 Stück(MOQ)
Hocheffiziente SiC-Powerlösungen für Ladestationen von Elektrofahrzeugen

Hocheffiziente SiC-Powerlösungen für Ladestationen von Elektrofahrzeugen

100.000,00-1.000.000,00 $
1 Stück(MOQ)
Hochdichte Mehrkammer-Vakuum-PVD-Beschichtungsdepositionsmaschine für fortschrittliche Halbleiterfilme

Hochdichte Mehrkammer-Vakuum-PVD-Beschichtungsdepositionsmaschine für fortschrittliche Halbleiterfilme

50.000,00-150.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Ningxia Yongruida Carbon Co., Ltd.

12 J.
·Handelsunternehmen
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Hochharter Schleifmaterial Sic Siliziumkarbidpulver für Feuerfeststoffe und Metallurgie

Hochharter Schleifmaterial Sic Siliziumkarbidpulver für Feuerfeststoffe und Metallurgie

1.090,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochreines Sic 1-10mm schwarzes Siliziumkarbidpulver für die Stahlherstellung

Hochreines Sic 1-10mm schwarzes Siliziumkarbidpulver für die Stahlherstellung

1.090,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochreines 98% Sic Siliziumkarbid Carborundum Pulver feuerfestes Material

Hochreines 98% Sic Siliziumkarbid Carborundum Pulver feuerfestes Material

1.090,00 $
1 Ton(MOQ)
Hochreines 400 Mesh Schwarzsiliziumkarbid für das Schleifen von Legierungs-Nichteisenmaterialien, Sandstrahlen und Rostentfernung

Hochreines 400 Mesh Schwarzsiliziumkarbid für das Schleifen von Legierungs-Nichteisenmaterialien, Sandstrahlen und Rostentfernung

1.090,00 $
1 Ton(MOQ)
1/4

Shenzhen Infypower Co., Ltd.

12 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Sic Mosfet bidirektionaler Acdc Wandler V2g EV Ladegerät Modul 22kw 1000V

Sic Mosfet bidirektionaler Acdc Wandler V2g EV Ladegerät Modul 22kw 1000V

2.950,00-3.000,00 $
1 Stück(MOQ)
Flüssigkeitsgekühltes 35kw bidirektionales AC/DC V2g Ladegerätmodul PCS für Energiespeicherung 0 Geräusch

Flüssigkeitsgekühltes 35kw bidirektionales AC/DC V2g Ladegerätmodul PCS für Energiespeicherung 0 Geräusch

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
22kw 30kw Bidirektionales EV-Ladegerät Leistungsmodul für V2g Schnellladestation

22kw 30kw Bidirektionales EV-Ladegerät Leistungsmodul für V2g Schnellladestation

2.950,00-3.000,00 $
1 Stück(MOQ)
7kw 15V Bidirektionales Acdc Strommodul für Lithiumbatterieformierung, -bewertung und -prüfung

7kw 15V Bidirektionales Acdc Strommodul für Lithiumbatterieformierung, -bewertung und -prüfung

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
1/4

Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

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Siliziumnitrit Si3n4 Keramisches Substrat für Sic Mosfet

Siliziumnitrit Si3n4 Keramisches Substrat für Sic Mosfet

20,00-25,00 $
10 Stücke(MOQ)
Silizium-Nitrid-Keramiklager mit hoher Tragfähigkeit bei erhöhten Temperaturen

Silizium-Nitrid-Keramiklager mit hoher Tragfähigkeit bei erhöhten Temperaturen

5,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Hohe mechanische Festigkeit Si3n4 Siliziumnitrid-Keramikplunger

Hohe mechanische Festigkeit Si3n4 Siliziumnitrid-Keramikplunger

5,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Gute thermische Schockbeständigkeit Siliziumnitridkeramik Si3n4 Halbrohr

Gute thermische Schockbeständigkeit Siliziumnitridkeramik Si3n4 Halbrohr

5,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Guangzhou Xindi Automobile Sales Co., Ltd.

5.0
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2024 Heißer Verkauf Byd Han EV Neufahrzeuge aus China Elektroauto Mini-Elektrofahrzeug zu günstigem Preis Auto

2024 Heißer Verkauf Byd Han EV Neufahrzeuge aus China Elektroauto Mini-Elektrofahrzeug zu günstigem Preis Auto

23.138,00-31.558,00 $
1 Stück(MOQ)
Byd Han EV Neuwagen Elektroauto Gebrauchtwagen Auto reines Elektrofahrzeug

Byd Han EV Neuwagen Elektroauto Gebrauchtwagen Auto reines Elektrofahrzeug

23.138,00-31.558,00 $
1 Stück(MOQ)
2024 Neuer Byd Han EV Mini Elektrofahrzeug Elektrofahrzeuge Elektroauto Preis Neue Energiefahrzeuge Hergestellt in China Mini EV Auto

2024 Neuer Byd Han EV Mini Elektrofahrzeug Elektrofahrzeuge Elektroauto Preis Neue Energiefahrzeuge Hergestellt in China Mini EV Auto

23.138,00-31.558,00 $
1 Stück(MOQ)
2024 Neuer Byd Han EV konventionelle Kraftfahrzeuge Elektroautos Preis Elektro Mini Auto günstige Autos Mini Elektrofahrzeug

2024 Neuer Byd Han EV konventionelle Kraftfahrzeuge Elektroautos Preis Elektro Mini Auto günstige Autos Mini Elektrofahrzeug

23.138,00-31.558,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Changsha Lushan Electronic Technology Co., Ltd.

51 J.·5.0
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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0.09mh 610A Variabler benutzerdefinierter Leistungsreaktor-Induktivitätsdrosselspule-Lieferant IGBT für VFD Elektromotor zur Filterung des Systems mit Großhandelselektronik von AC 400V 600V

0.09mh 610A Variabler benutzerdefinierter Leistungsreaktor-Induktivitätsdrosselspule-Lieferant IGBT für VFD Elektromotor zur Filterung des Systems mit Großhandelselektronik von AC 400V 600V

107,00 $
1 Stück(MOQ)
0.013mh-610A Variabler benutzerdefinierter Leistungsreaktor-Spulen-Drossel-Induktor-Lieferant für Solarumrichter zu harmonischen Filtern mit Großhandelselektronik und Kupferdraht

0.013mh-610A Variabler benutzerdefinierter Leistungsreaktor-Spulen-Drossel-Induktor-Lieferant für Solarumrichter zu harmonischen Filtern mit Großhandelselektronik und Kupferdraht

80,00 $
1 Stück(MOQ)
750A 0.1mh Individueller elektrischer Leistungs-AC-Leiterreaktor-Induktor-Drosselspule-IGBT für Faserlaser zur Filterung mit Niederspannung und Großhandelselektronik

750A 0.1mh Individueller elektrischer Leistungs-AC-Leiterreaktor-Induktor-Drosselspule-IGBT für Faserlaser zur Filterung mit Niederspannung und Großhandelselektronik

100,00-10.000,00 $
1 Stück(MOQ)
800A 0.8mh Individueller elektrischer Leistungs-AC-Leiterreaktor-Induktionsspule-IGBT für das Labor zur Filterung mit Niederspannung und Großhandelselektronik

800A 0.8mh Individueller elektrischer Leistungs-AC-Leiterreaktor-Induktionsspule-IGBT für das Labor zur Filterung mit Niederspannung und Großhandelselektronik

100,00-10.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

SHENZHEN JINGHUI INDUSTRY LIMITED

5.0
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0.5mm 0.75mm 1.3mm 2mm 3mm Wärmebeständige Aluminium-Nitrid-Wafer

0.5mm 0.75mm 1.3mm 2mm 3mm Wärmebeständige Aluminium-Nitrid-Wafer

10,00-2.000,00 $
1 Stück(MOQ)
China Hersteller Aluminiumnitrid Aln Wafer für Elektronik

China Hersteller Aluminiumnitrid Aln Wafer für Elektronik

10,00-100,00 $
1 Stück(MOQ)
Industrieller Aln-Keramik-Aluminium-Nitrid-Ring für Temperatursensor

Industrieller Aln-Keramik-Aluminium-Nitrid-Ring für Temperatursensor

20,00-50,00 $
1 Stück(MOQ)
Schwarze Aluminium-Nitrid-Keramiksubstrat

Schwarze Aluminium-Nitrid-Keramiksubstrat

10,00-100,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd.

5.0
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N-Typ Sic Substrate

N-Typ Sic Substrate

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
Sic Siliziumkarbid-Wafer-Substrate

Sic Siliziumkarbid-Wafer-Substrate

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
Siliziumkarbid (SiC) Substrate für Leistungselektronik

Siliziumkarbid (SiC) Substrate für Leistungselektronik

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 J.
·Handelsunternehmen
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IC-Lieferanten Hochpräziser Nicht-Isolierter Buck Apfc LED-Antrieb Sic9754

IC-Lieferanten Hochpräziser Nicht-Isolierter Buck Apfc LED-Antrieb Sic9754

0,60-0,70 $
100 Stücke(MOQ)
IC-Lieferanten Fabrikversorgung IC Sic9764b Sic9764 Sop DIP-7 LED-Treiber

IC-Lieferanten Fabrikversorgung IC Sic9764b Sic9764 Sop DIP-7 LED-Treiber

0,09-1,00 $
4.000 Stücke(MOQ)
Shenzhen Sic9773 Sic9773b Sop7 LED Konstantstromtreiber-IC

Shenzhen Sic9773 Sic9773b Sop7 LED Konstantstromtreiber-IC

0,50-0,90 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Wenlida Technology Co., Ltd.

15 J.·5.0
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Sic-Serie von DC/DC-Wandlern für die kaskadierte Nutzung von ausgedienten Batterien und AC-DC-Hybrid-Mikronetzen sowie Energiespeichersystemen, DC/DC-Wandler mit Af

Sic-Serie von DC/DC-Wandlern für die kaskadierte Nutzung von ausgedienten Batterien und AC-DC-Hybrid-Mikronetzen sowie Energiespeichersystemen, DC/DC-Wandler mit Af

500,00-60.000,00 $
1 Stück(MOQ)
Wasserkühlung, Sic-Serie von DC/DC-Wandlern zur kaskadierenden Nutzung von ausgedienten Batterien, AC-DC-Hybrid-Mikronetz-Energiespeichersystem, DC/DC-Wandler

Wasserkühlung, Sic-Serie von DC/DC-Wandlern zur kaskadierenden Nutzung von ausgedienten Batterien, AC-DC-Hybrid-Mikronetz-Energiespeichersystem, DC/DC-Wandler

300,00-60.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Hebei Suoyi New Material Technology Co., Ltd.

12 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Suoyi Sic Siliziumkarbid 15-17um für Strahlung und elektromagnetische Wellenabsorption Siliziumkarbid CAS-Nr. 409-21-2

Suoyi Sic Siliziumkarbid 15-17um für Strahlung und elektromagnetische Wellenabsorption Siliziumkarbid CAS-Nr. 409-21-2

7.035,00-7.250,00 $
1 Ton(MOQ)
Suoyi Ultra Feines Sic 0.3-0.5um Siliziumkarbid

Suoyi Ultra Feines Sic 0.3-0.5um Siliziumkarbid

7.035,00-7.250,00 $
1 Ton(MOQ)
1/4

Dongguan Guangyuan Inverter Electronic Equipment Factory

23 J.
·Hersteller/Werk
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Eisen geschmiedete Maschine Hochfrequenz Magnetinduktionsheizung

Eisen geschmiedete Maschine Hochfrequenz Magnetinduktionsheizung

100,00-10.000,00 $
1 Satz(MOQ)
15kVA 220V Elektromagnetischer Induktionsschmiedeheizer für Bolzen

15kVA 220V Elektromagnetischer Induktionsschmiedeheizer für Bolzen

100,00-10.000,00 $
1 Satz(MOQ)
1/4

Zhengzhou CY Scientific Instrument Co., Ltd.

13 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Hochwertige 6-Inch 4h-Sic epitaxiale Wafer

Hochwertige 6-Inch 4h-Sic epitaxiale Wafer

430,00-580,00 $
2 Stücke(MOQ)
Heißer Verkauf 4-Inch Siliziumkarbid-Epitaxiewafer werden für die Herstellung von MEMS-Geräten verwendet

Heißer Verkauf 4-Inch Siliziumkarbid-Epitaxiewafer werden für die Herstellung von MEMS-Geräten verwendet

430,00-580,00 $
2 Stücke(MOQ)
1/4

SHENZHEN SCIEO ELECTRONICS CO., LTD.

10 J.
·Handelsunternehmen
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Quellenmessgerät (SMU) N2600 Serie Hochpräzisions-Digitalmultimeter für Halbleitertests

Quellenmessgerät (SMU) N2600 Serie Hochpräzisions-Digitalmultimeter für Halbleitertests

2.000,00-25.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1000V 1A 20W Digitaler Quellmessgerät (SMU) mit Spannungsquelle, Stromquelle, I-V-R-Messung

1000V 1A 20W Digitaler Quellmessgerät (SMU) mit Spannungsquelle, Stromquelle, I-V-R-Messung

2.000,00-25.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Originale IC-Chips von Stm Stm8s003f3p6tr Trans Mosfet N-CH Sic 650V 70A Rohm Halbleiter

Originale IC-Chips von Stm Stm8s003f3p6tr Trans Mosfet N-CH Sic 650V 70A Rohm Halbleiter

0,02-2,80 $
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Shijiazhuang Maxwell Technology Co., Ltd.

6 J.·5.0
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50kw 1000V Ausgangsleistungsmodul mit 260-530V Eingangs-Hocheffizienz-Sic-Mosfet

50kw 1000V Ausgangsleistungsmodul mit 260-530V Eingangs-Hocheffizienz-Sic-Mosfet

1.000,00-1.100,00 $
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1/4

Hainan Chenxiang New Materials Technology Co., Ltd.

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MMA 500sic 370A Tragbarer Inverter-Schweißer mit Sic Mosfet-Technologie

MMA 500sic 370A Tragbarer Inverter-Schweißer mit Sic Mosfet-Technologie

109,00-148,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shinningpc Industrial Co., Ltd.

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S IC Chip Integrierte Schaltung Ics Original 24LC014t-E/Mny Speicher 8-Wfdfn Freiliegende Pad Elektronische Komponenten

S IC Chip Integrierte Schaltung Ics Original 24LC014t-E/Mny Speicher 8-Wfdfn Freiliegende Pad Elektronische Komponenten

28,50 $
1 Stück(MOQ)
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Heiße Produkte
Verschleißplatte
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Bimetallverschleißplatte
China Mosfet
Mosfet-transistor
Leistungs-mosfet
Sic-heizelement
Hochtemperatur-sic-heizelement
Zugehörige Hersteller & Lieferant
Mosfet-verstärker Fabrik
Sic Heizung Fabrik
Sic Heizstab Fabrik
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Sic Heizerelement Hersteller
Hochtemperatur-sic-heizer Hersteller
Leistungs-mosfet-modul Hersteller
Sic Siliziumkarbid Elektrische Heizstange Hersteller
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