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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C16T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C16T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C16T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C16T1

10,13 $

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IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

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IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

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IGBT-Module VCES-1200V IC-35A Geringe Schaltverluste Geringe Induktivität Gehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG35P12E1A

95,00 $

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C08T1

11,92 $

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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

925,00 $

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75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,272 $

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IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

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IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

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IGBT-Module VCES-1200V IC-15A Niedrige Schaltverluste Niedriger Induktivitätsgehäuse Hohe Kurzschlussfestigkeit capability(10us) MG15P12E1

75,00 $

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1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

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1200V~1600V Thyristor Mt250c (A/K) -Bt2~Mt250c (A/K) B-Bt2 Diodenmodulgehäuse Bt2

50,00 $

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1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

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1- Linie, uni-direktionale, transiente Spannungsunterdrückungsdiode ESD18vd3 Tvs Diode SOD-323

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1-Line, Bi-direktionale, transiente Überspannungsschutzdiode Hesd24vlb Gehäuse Dfn1006-2L

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1-Line, Bi-direktionale, transiente Überspannungsschutzdiode Hesd24vlb Gehäuse Dfn1006-2L

1-Line, Bi-direktionale, transiente Überspannungsschutzdiode Hesd24vlb Gehäuse Dfn1006-2L

1-Line, Bi-direktionale, transiente Überspannungsschutzdiode Hesd24vlb Gehäuse Dfn1006-2L

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1-Line, Bi-direktionale, transiente Überspannungsschutzdiode Hesd24vlb Gehäuse Dfn1006-2L

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Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

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Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

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Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

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Sot-23 Kunststoff-Umhüllte Schalt-Diode BAW56/ Bav70/ Bav99 für Schaltanwendungen

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Sot-23 Kunststoff-Umhüllte Schalt-Diode BAW56/ Bav70/ Bav99 für Schaltanwendungen

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Sot-23 Kunststoff-Umhüllte Schalt-Diode BAW56/ Bav70/ Bav99 für Schaltanwendungen

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1200V 450A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI450B12E6K4

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1200V 450A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI450B12E6K4

1200V 450A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI450B12E6K4

1200V 450A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI450B12E6K4

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60,50-67,50 $

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

18,80 $

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Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

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Original und Neu IGBT Dgw75n65ctl1 Röhren 650V 75A Transistor to-247 Gehäuse

1,50 $

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Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

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Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

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Dreiphasenbrücke + Thyristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V zu 1900V IFAV/ITAV=100A Merkmale Anwendungen MT100DT08L1

23,31 $

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Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

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Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

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Paket Sot-23 Kunststoffgehäuse schneller Schalt-Diode Mmbd914 niedrige Rückwärtsleckage 1.0ua

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

24,15 $

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

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650V/10A 610mΩ RU10N65P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

650V/10A 610mΩ RU10N65P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

650V/10A 610mΩ RU10N65P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

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1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

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Beidge Gleichrichterdiode 4A, 1000V, Msb410

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Beidge Gleichrichterdiode 4A, 1000V, Msb410

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=40A Merkmale Anwendungen MT40CB16T1

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=40A Merkmale Anwendungen MT40CB16T1

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=40A Merkmale Anwendungen MT40CB16T1

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1200V SiC-Leistungsmodul, Diodenpack, IF: 2x100A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB200DU12FJ

1200V SiC-Leistungsmodul, Diodenpack, IF: 2x100A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB200DU12FJ

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IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

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IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10μs Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

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Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

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Hochzuverlässige Widerstandsschweißer Schnelle Gleichrichterdioden

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Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

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Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

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Zp18000A 400V Keramischer Isolator Schweißdiode

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