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35A, 600V, Presspassdioden Bp356

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35A, 600V, Presspassdioden Bp356

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Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

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Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

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Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

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Bav99 Diodenarray, 1 Paar in Reihe geschaltet 75V 215mA Oberflächenmontagedioden

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Bav99 Diodenarray, 1 Paar in Reihe geschaltet 75V 215mA Oberflächenmontagedioden

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Dgw40n65bth IGBT diskret zuverlässig 650V 40A Elektronenröhre für Schaltanwendungen to-247

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Dgw40n65bth IGBT diskret zuverlässig 650V 40A Elektronenröhre für Schaltanwendungen to-247

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Mtt570 Thyristormodul 570A 1600V Dual-Thyristor-Typ Äquivalent zur Mtt-Serie für Gleichstrom- und Wechselstromkreise

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IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

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IGBT-Module VCES-1200V IC-200A Kurzschlussfest 10&mu;s Niedrige Streuinduktivität Merkmale Anwendungen MG200HF12MRC2

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Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

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Umb Paket 0.8A Oberflächenmontage Glas passivierte Brückengleichrichter Um1b Durch Um10b

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Umb Paket 0.8A Oberflächenmontage Glas passivierte Brückengleichrichter Um1b Durch Um10b

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1200V SiC MOSFET Leistungsmodul, VDS: 1200V, ID: 91A, RDS(on) 22mΩ, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MC20UZ12ST

1200V SiC MOSFET Leistungsmodul, VDS: 1200V, ID: 91A, RDS(on) 22mΩ, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MC20UZ12ST

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Neue Mxg80-12 Mxy80-12 80A Generatorgleichrichterbrückenmodul Erregungsalternator Brückengleichrichter-Servicekit Isolationsplatte

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Neue Mxg80-12 Mxy80-12 80A Generatorgleichrichterbrückenmodul Erregungsalternator Brückengleichrichter-Servicekit Isolationsplatte

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Neue Mxg80-12 Mxy80-12 80A Generatorgleichrichterbrückenmodul Erregungsalternator Brückengleichrichter-Servicekit Isolationsplatte

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25,00-28,00 $

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100V/71A 9.6mΩ DG100N03D Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

100V/71A 9.6mΩ DG100N03D Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

100V/71A 9.6mΩ DG100N03D Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

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Df35na80 Durch Df35na160 Drei-Phasen-Brückengleichrichter Paket Tsb-5 Vrrm 800V~1600V

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Df35na80 Durch Df35na160 Drei-Phasen-Brückengleichrichter Paket Tsb-5 Vrrm 800V~1600V

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650V/12.3A 320mΩ HCD65R320 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

650V/12.3A 320mΩ HCD65R320 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

650V/12.3A 320mΩ HCD65R320 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

650V/12.3A 320mΩ HCD65R320 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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1200V SiC-Leistungsmodul, Dual-Diodenpack, IF: 2x40A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V SiC-Leistungsmodul, Dual-Diodenpack, IF: 2x40A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V SiC-Leistungsmodul, Dual-Diodenpack, IF: 2x40A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB80DU12FJ

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1200V SiC-Leistungsmodul, Dual-Diodenpack, IF: 2x40A, Merkmale, Anwendungen, SOT-227, MB80DU12FJ

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1200V N-Kanal MOSFET, 80mΩ/30A/18V, TO-263-7, ASC30N1200MT7

1200V N-Kanal MOSFET, 80mΩ/30A/18V, TO-263-7, ASC30N1200MT7

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV / ITAV=160A Merkmale Anwendungen MT160CB-T2

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1200V/600A/2.8mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC600N1200MD3

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Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

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Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

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Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

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150V/119A 12mΩ SG150N06P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

150V/119A 12mΩ SG150N06P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

150V/119A 12mΩ SG150N06P N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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1700V/600A/4.2mΩ/15V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC600N1700MD3

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25A, 50-600V Motor Press Fit Diode Bp255

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Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

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Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=130A MT130C16T2

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Kk 500A 1600V Schnelle SCR-Thyristoren Gleichrichtermodul konkave Form Spiralbolzenmontage Mittel- Frequenzofen Sanftstartkomponente

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Kk 500A 1600V Schnelle SCR-Thyristoren Gleichrichtermodul konkave Form Spiralbolzenmontage Mittel- Frequenzofen Sanftstartkomponente

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Dgw75n65cts2a IGBT Discrete 650V 75A Transistor to-247 mit RoHS-konform

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Dgw75n65cts2a IGBT Discrete 650V 75A Transistor to-247 mit RoHS-konform

Dgw75n65cts2a IGBT Discrete 650V 75A Transistor to-247 mit RoHS-konform

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1.080 Stücke (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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700V/11.7A 360mΩ HCFL70R360 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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700V/11.7A 360mΩ HCFL70R360 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

700V/11.7A 360mΩ HCFL70R360 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

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FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

FRED-Diodenmodule VRRM=1200V IFAV=200A Hohe Überspannungsstromfähigkeit MF200A12F2

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Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

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Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

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Glaspassivierte Brückengleichrichter D4ub05 bis D4ub100 Vrrm 50V~1000V mit UL RoHS

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=40A Merkmale Anwendungen MT40C18T1

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