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hf-Leistungstransistor

Produkte von vertrauenswürdigen Herstellern und Großhändlern

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RoHS,CE,ISO,CCC
Chip-Transistor
Plug-in-Triode
Hochfrequenz
Hohe Energie
lichtempfindlich,Macht Triode,Switching Triode

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RoHS,CE,ISO,CCC
Chip-Transistor
Plug-in-Triode
Hochfrequenz
Hohe Energie
lichtempfindlich,Macht Triode,Switching Triode

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RoHS,CE,ISO,CCC
Chip-Transistor
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Hohe Energie
lichtempfindlich,Macht Triode,Switching Triode

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RoHS
SMD Triode
Hochfrequenz
Hohe Energie
Macht Triode
NPN

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Diskrete Geräte
Element Semiconductor
Analog Digital Composite und Funktion
Bulk
250/box
MITSUBISHI

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Chip-Transistor
RoHS,CE,ISO,CCC
Standard
Silizium
Plastic Package
Guangdong, China

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RoHS
Hochfrequenz
Silizium
Box
MITSUBISHI
8542330000

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RoHS,CE,CCC
Chip-Transistor
SMD Triode
Niederfrequenz
Medium Power
Macht Triode,Switching Triode

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Diskrete Geräte
P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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RoHS,CE,ISO,CCC
Chip-Transistor
Hochfrequenz
Hohe Energie
PNP
Silizium

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Radio
Ceramic Package, Sot539A
20pcs/box
8542330000
100000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000

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Radio
Ceramic Package, Sot539A
20pcs/box
8542330000
100000

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P-Typ-Halbleiter
Goford
China
8541290000
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