Siliziumkarbidwafer (SiC Wafer) 4h/6h N-Typ (2/3/4/6/8inch) für Photovoltaik Hochfrequenz-Einkristall-Substrat Experimenteller Test

Referenz FOB Preis: 1,00-100,00 $ / Stück
Mindest. Befehl: 1 Stück
Mindest. Befehl Referenz FOB Preis
1 Stück 1,00-100,00 $
Hafen: Shanghai, China
Transportpaket: Box
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T, D/P, Western Union, Paypal, Money Gram

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Produktbeschreibung

Firmeninfo

Die Anschrift: No. 1 Qingguo Road, Wuxi, Jiangsu, China
Unternehmensart: Hersteller/Werk
Geschäftsbereich: Chemische Produkte, Elektronik, Industrielle Anlagen und Zusatzteile, Konsumelektronik, Messinstrumente
Firmenvorstellung: JXT ist ein Technologieunternehmen, das 2012 gegründet wurde. JXT entwickelt und produziert hochwertige Wafer, darunter Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Saphirsubstrate, CVD-Diamantsubstrate und Galliumoxid (Ga2O3)-Substrate.

JXT achtet weiterhin auf Produktionen, Forschung und Entwicklung und technologische Innovationen, die es JXT ermöglichen, eine breitere Palette von Produktionen zu liefern, wie GaN auf Saphir, GaN auf Silizium, GaN auf SiC, GaN auf Diamant, Si auf Saphir und andere Wafer-Chip-Strukturen.

JXT hat ein Team von mehr als 50 Mitarbeitern, von denen mehr als die Hälfte Produktionstechniker und Forscher sind. Sie alle verfügen über mehr als 5 oder sogar 10 Jahre Berufserfahrung im Bereich Halbleitermaterialien und gewährleisten die Stabilität und Zuverlässigkeit der Produkte von JXT.

JXT ist immer auf die neuesten Halbleitermaterialien bedacht und investiert enorm in die Technologieforschung und -Entwicklung, um die Qualität der Produkte zu verbessern und die Kundenanforderungen zu erfüllen.
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