Indium Arsenid Wafer, Inas Wafer
Mindest. Befehl: | 1 Stück |
---|---|
Hafen: | Shanghai, China |
Zahlungsbedingungen: | L/C, T/T, D/P, Western Union, Paypal, Money Gram |
Produktbeschreibung
Firmeninfo
Produktbeschreibung
InAs-Einkristall kann als Substratmaterial zur Herstellung von InAsSb/InAsPSb-Materialien zur Herstellung eines Infrarot-Leuchtmittels verwendet werden. Es hat gute Anwendungsmöglichkeiten im Bereich der Gasdetektion und der verlustarme Faserkommunikation. Außerdem ist der InAs-Kristall aufgrund seiner hohen Elektronenbeweglichkeit das ideale Material für die Herstellung des Hall-Geräts.
Physikalische Eigenschaften Von Indium-Arsenid-Wafer
Material | InAs | |||
---|---|---|---|---|
Wachstumsmethode | LEC | |||
Gitter (A) | A=6,058 | |||
Struktur | M3 | |||
Schmelzpunkt | 942ºC | |||
Dichte (g/cm3) | 5,66 g/cm3 | |||
Dotiertes Material | Ungeschöpft | SN-dotiert | S-dotiert | ZN-dotiert |
Typ | N | N | N | P |
Trägerkonzentration (cm-3) | 5 x 1016 | (5-20) x 1017 | (1-10) x 1017 | (1-10) x 1018 |
Mobilität (cm2v-1s-1) | ≥ 2 x 104 | 7000-20000 | 6000-20000 | 100-400 |
EPD (Durchschnitt) | <5 x 104/cm2 | <5 x 104/cm2 | <5 x 104/cm2 | <5 x 104/cm2 |
Spezifikationen Für Indium-Arsenid-Wafer
Größe | 2 Zoll Durchmesser, 3 Zoll Durchmesser, 4 Zoll Durchmesser (kundenspezifische Größen sind erhältlich) | ||
---|---|---|---|
Dicke | 500um, 600um, 800um (Toleranz: ±25um) | ||
Poliert | SSP oder DSP | ||
Ausrichtung | <100>, <111> | ||
Genauigkeit Der Umleitung | ±0,5 | ||
Primäre Flache Länge | 16±2 mm, 22±2 mm, 32,5±2 mm | ||
Flache Scondary-Länge | 8±1 mm, 11±1 mm, 18±1 mm | ||
TTV | <10 um | ||
Schleife | <10 um | ||
Verformen | <15 um |
Indium Arsenid Wafer -Paket
Verpackt mit einem Reinbeutel der Klasse 100 oder einem Wafer-Behälter in einem Reinraum der Klasse 1000.
Verwandte Produkte von Indium Arsenid Wafer
Supraleitende Substrate Yttrium-Orthoaluminat-Substrat Magnesiumaluminat (Spinel)-Substrat LaAlO3 Substrat Magnesiumoxid-Wafer Strontium Titanat-Substrat LSAT-Substrat YSZ-Substrat Neodym-Gallat-Substrat Kaliumtantalat-Substrat LaSrAlO4 Substrat | Magnetische Ferroelektrizitätsuntergründe Gadolinium Gallium Granatsubstrat Terbium Gallium Granatsubstrat Neodym-Dotiertes Strontium-Titanat-Substrat Ferrum Dotiertes Strontium Titanat Substrat Niob-Dotiertes Strontium-Titanat-Substrat Saphir-Wafer Rutiles Substrat | Halbleiterwafer Germanium Wafer Silikonwafer Indiumarsenidwafer Galliumarsenid-Wafer Gallium-Antimonid-Wafer Indium-Phosphid-Wafer Thermooxid-Siliziumwafer |
Gan Dünnschichtsubstrate Galliumnitrid-Wafer ScAlMgO4 Substrat Lithium-Aluminat-Substrat Siliziumkarbid-Wafer Zinkoxid-Substrat Magnesiumaluminat-Substrat | Halogen-Substrate Kaliumbromid-Substrat Kaliumchlorid-Substrat Natriumchlorid-Substrat | Keramiksubstrate Aluminiumoxid-Keramiksubstrat Aluminium Nitrid Keramiksubstrat Zirkonia Keramiksubstrat Siliziumnitrid Keramiksubstrat Metallsubstrate Kupfersubstrat Aluminiumsubstrat |
Die Anschrift:
Rm. 408, Building 1, No. 31, Yinshan Road Yuelu District, Changsha, Hunan, China
Unternehmensart:
Hersteller/Werk
Geschäftsbereich:
Chemische Produkte, Produktionsmaschinen
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO 9001, ISO 9000
Hauptprodukte:
Sputterziel, Verdampfungsmaterial, Tiegel, Verdampfungsboote, Thermofilament, Dünnschichtsubstrat, Crytstal Material, Pulver
Firmenvorstellung:
Changsha Advanced Engineering Materials Limited (AEM) ist ein internationales Unternehmen, das in Forschung und Entwicklung, Herstellung und Vertrieb aller Arten von High-Tech-Materialien tätig ist. Wir bieten weltweit Forschungsinstitute und High-Tech-Unternehmen mit hochreinen NE-Materialien, kundenspezifische Legierungen, Verbindungen und fast jede Art von komplizierten synthetischen Materialien, etc. Wir haben große Vorteile bei Magnetron Sputtertargets, Vakuum-Beschichtungsmaterialien, hochreine Metalle, hochreine Verbindungen, Seltene Erden Metalle, Destillierte Seltene Erden Metalle, beschichtete Substrate, etc.