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2sc0106t2a1-12 MOSFET Gate-Treiber-Kern für 1200 V IGBTs 37kW Bis 110kW Leistungsbereich

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Referenz FOB Preis
Holen Sie sich aktuelle Preis
18,00-25,00 $ / Stück | 10 Stücke (Mindest. Befehl)
Fertigungstechnik: Optoelektronische Semiconductor
Material: Element Semiconductor
Art: N-Typ-Halbleiter
Paket: PGA (Pin Grid Array Package)
Signalverarbeitung: Analog Digital Composite und Funktion
Anwendung: Temperaturmessung
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