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Kundenspezifische 4-6" GaN-on-Si Silizium-basierte GaN-Epitaxie-Wafer für Vertikal Stromversorgung Von Geräten

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Growth Method:	CZ and Fz
Orientation:	111 or 100
Resistivity:	0.0005 to 150
Surface:	Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant:	N Type and P Type
Particles:	<30 at 0.3um

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