8 Zoll GaN Epi Wafer Hersteller für Niederspannungs-Spannungsabschaltung<200V
| Mindest. Befehl: | 15 Stücke |
|---|---|
| Hafen: | Shanghai, China |
| Transportpaket: | Cassette |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
ähnliche Gegenstände
Wird geladen...
Sie Mögen Vielleicht
Wird geladen...
Produktbeschreibung
Firmeninfo
Die Anschrift:
Lisheng Industrial Building, 60 Suli Road, Suzhou, Jiangsu, China
Unternehmensart:
Hersteller/Werk
Geschäftsbereich:
Elektronik, Industrielle Anlagen und Zusatzteile, Produktionsmaschinen
Firmenvorstellung:
Homray Material Technology wurde 2009 gegründet, ist ein High-Tech-Unternehmen, das auf die Bereitstellung von Siliziumkarbid (SiC) Substrat Wafer und SiC Epi Wafer, Galliumnitrid (GaN) Substrat Wafer und GaN Epi Wafer spezialisiert ist. Es ist allgemein anerkannt, dass Compound Semiconductor (SiC, GaN) mit seiner überlegenen Eigenschaft wie Wide-Bandgap, wird erwartet, dass die vielversprechendste Materialwahl für die nächste Generation Gerät. Sic-Geräte und GaN-Geräte können aufgrund ihres hohen kritischen elektrischen Feldes gleichzeitig geringe Verluste und schnelle Schalt-/Oszillationen erzielen. Homray Material Technology hat sich der Entwicklung hochwertiger SiC Wafer und GaN Wafer für RF-, Leistungselektronik- und Optoelektronik-Anwendungen verschrieben. Als führender Hersteller und Lieferant der Halbleiterindustrie sind unsere Händler und Partner vor allem in Europa, USA, Südostasien und Südamerika vertreten.Unser Umsatz lag 50 bei über 2019 Millionen US-Dollar. Ausgezeichnete Produkte Qualität und professioneller Service haben das Vertrauen und die Unterstützung unserer Kunden in der Welt sowie unseren Marktanteil gewonnen.
Unsere Produktpalette umfasst Siliziumkarbid (SiC) Substrat Wafer und SiC Epi Wafer, Galliumnitrid (GaN) Substrat Wafer und GaN Epi Wafer, Test-Silizium Wafer und Dummy Silizium Wafer. Tatsächlich wurde die GaN-on-Si-Technologie als beste Wahl der GaN-Leistungselektronik angesehen, da sie die Geräteleistung und die Herstellungskosten nutzt. Der Erfolg der GaN-Epitaxie auf großformatige Si-Substraten verspricht bemerkenswerte Kosten und eine Möglichkeit der Massenproduktion auf Basis CMOS-kompatibler Technologie. Homray Material Technology GaN Epi Wafer umfasst GaN-on-Silicon, GaN-on-SiC, GaN-on-Sapphire Epi Wafer mit verschiedenen Größen und verschiedenen technischen Parametern. Homray Material Technology HEMT Wafer wurden mit extrem geringer Pufferlecks und niedrigen Pufferfallen optimiert, die die wichtigsten Merkmale für leistungsstarke GaN-Geräte sind. Wir bieten Halbleiterprodukte mit überlegener Leistung und Zuverlässigkeit und sind bestrebt, das weltweit führende Unternehmen in der boomenden Halbleiterindustrie mit großen Bandspalt zu werden.
Unsere Produktpalette umfasst Siliziumkarbid (SiC) Substrat Wafer und SiC Epi Wafer, Galliumnitrid (GaN) Substrat Wafer und GaN Epi Wafer, Test-Silizium Wafer und Dummy Silizium Wafer. Tatsächlich wurde die GaN-on-Si-Technologie als beste Wahl der GaN-Leistungselektronik angesehen, da sie die Geräteleistung und die Herstellungskosten nutzt. Der Erfolg der GaN-Epitaxie auf großformatige Si-Substraten verspricht bemerkenswerte Kosten und eine Möglichkeit der Massenproduktion auf Basis CMOS-kompatibler Technologie. Homray Material Technology GaN Epi Wafer umfasst GaN-on-Silicon, GaN-on-SiC, GaN-on-Sapphire Epi Wafer mit verschiedenen Größen und verschiedenen technischen Parametern. Homray Material Technology HEMT Wafer wurden mit extrem geringer Pufferlecks und niedrigen Pufferfallen optimiert, die die wichtigsten Merkmale für leistungsstarke GaN-Geräte sind. Wir bieten Halbleiterprodukte mit überlegener Leistung und Zuverlässigkeit und sind bestrebt, das weltweit führende Unternehmen in der boomenden Halbleiterindustrie mit großen Bandspalt zu werden.
