Grundlegende Informationen
Anwendung
Diode, Rectification
Fertigungstechnologie
Diskretes Gerät
Material
Halbleiter-Element
Signalverarbeitung
Analog Digital Composite und Funktion
Typisieren
P-Typ Halbleiter
Transportpaket
100pcs in einem Beutel, 25bags in einem Karton
Produktbeschreibung
CL04-12 Hochspannungsdioden übernehmen die Konstruktion von hoch zuverlässigen Multiple mesa Struktur und Siliziumrohr, geformt in kleinen Volumen und kompakte Verpackungsfläche durch Epoxidharz .
Funktionen:
Schnelle RückgewinnungGeringes Vorwärtsdruck, geringe LeckstromSchutz vor LawinenbruchSchutz vor Entladung von CRT Hochspannungs -StoßstromAxiale Bleidiode, könnte auf RohrstiftEpoxidharz geformt und kann Korrosion auf seiner Oberfläche widerstehen
Anwendung:
Fernsehen und FBT displayKathode-Ionen-Generator, Laser-NetzteilNeon-Lampe Stromversorgung, Spannung Multiplikator AssemblyDC Hochspannungs-Generator-Baugruppe
Absolute Höchstwerte
Element | Symbol | Bewertung | Einheit | Bedingungen |
Repetitive Peak Kehrt Um | VRRM | 12 | KV | |
Maximale Temperatur Der Verbindung | Tjmax | 130 | ºC | |
Lagertemperatur | Tstg | -40~+130 | ºC | |
Durchschnittlicher Durchlaufstrom | E/A | 350 | MA | Tamb=50ºC |
Überspannungsstrom Vorwärts | IFSM | 30 | A | |
Elektrische Eigenschaften (Tamb=25ºC, sofern nicht anders angegeben)
Element | Symbol | Bewertung | Einheit | Bedingung |
Normale Temperatur Umkehrstrom | IR1 | 5,0max | μA | VR = 12KV |
Hochtemperatur-Umkehrstrom | IR2 | 50max | μA | VR = 12KV Tamb=100ºC |
Rückwärtsgangspannung | VF | 12,5 | V | WENN = 500mA |
Rückkehrzeit | trr | | NS | WENN = 100mA IR = 200mA |
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