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N-Kanal-Enhancement-Modus Feldeffekt-Transistor Feuchtigkeitsempfindlichkeit Level 3 PDFN5060-8L ruft Anwendungen YJG200G04BRQ ab pictures & photos
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Zertifizierung: RoHS
Funktion: Schalttransistor
Verkapselungsstruktur: PDFN5060-8L
Leistungspegel: Hohe Energie
Stoff: Silizium
Features1: Extremely Low Switching Loss
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