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Siliziumkarbid Power MOSFET (N-Kanal-Verbesserung) VDS 1200V ID (25 66A C) 33mΩ RDS(on) 247AB TO- ruft Anwendungen YJD212040NCTG2Q ab

Siliziumkarbid Power MOSFET (N-Kanal-Verbesserung) VDS 1200V ID (25 66A C) 33mΩ RDS(on) 247AB TO- ruft Anwendungen YJD212040NCTG2Q ab pictures & photos
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Referenz FOB Preis
Holen Sie sich aktuelle Preis
0,78 $ / Stück | 1.000 Stücke (Mindest. Befehl)
Zertifizierung: RoHS
Funktion: Schalttransistor
Verkapselungsstruktur: TO-247AB
Stoff: Silizium
Features1: Extremely Low Switching Loss
Features2: Excellent Stability and Uniformity
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