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Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=650V IF(135°C)=11A QC=25nC ruft Anwendungen auf Null Rückspannungsspannung YJD106506DQG2

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Referenz FOB Preis
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0,89 $ / Stück | 1.000 Stücke (Mindest. Befehl)
Zertifizierung: RoHS
Funktion: Schalttransistor
Verkapselungsstruktur: TO-252
Stoff: Silizium
Features1: Extremely Low Switching Loss
Features2: Excellent Stability and Uniformity
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