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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G30n60d to-247

Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G30n60d to-247 pictures & photos
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Referenz FOB Preis
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0,01-1,5 $ / Stück | 5.000 Stücke (Mindest. Befehl)
Manufacturing Technology: Discrete Device
Type: N-type Semiconductor
Material: Silicon
Package: to-247
Application: Inverter Welding Machine, UPS
Model: G30n60d
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