Fortgeschrittenes Hochtechnologie-Design 150mW SOT-523 Ultra kleiner SMD NPN-Transistor mit konsistenter Leistung
FOB Preis:
0,0104-0,0195 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Allgemeiner N-Kanal Enhancement Mode Mosfet To263 Durchsteckmontage für Verbraucher-Elektronik-Schaltkreis Hergestellt in China
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Original Infineon IGBT Modul FF450r12kt4. für andere Modelle, bitte wenden Sie sich an den Kundenservice
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Elektronische Bauelemente 1200V 64A IGBT-Transistor Fgl40n120and 40n120
FOB Preis:
3,00-5,00 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Schalttriode
- Struktur: NPN
- Verpackung: Standard
- Provinz: Guangdong, China
Ixys Schnellrückführungsdiodenmodul Dsei2X31-12p Dsei2X161-06p Dsei2X161-12p Dsei2X61-12p
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Hersteller Hochleistungs-RF-Transistor Blf188xru Transistoren
FOB Preis:
20,00-22,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Mosfet Ces2317 Sot-23 100% Original Neu
FOB Preis:
0,0613 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Elektronenröhrenheizmaschine Vakuumtriode (7T69RB)
FOB Preis:
300,00-500,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Wnm2021-3/Tr Elektronische Bauelemente Transistor Sot-323
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Struktur: PNP
- Provinz: Guangdong, China
Mbr41h100ctg 100V 40A Schottky-Diode - Hochleistungs-Gleichrichterlösung
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Fortgeschrittener Design N-Kanal Enhancement Mode MOSFET VC9320A-1 SOT-723 Halbleiter
FOB Preis:
0,0127-0,021 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Niedriger RDS (EIN) LED-Beleuchtungs-Mosfet
FOB Preis:
0,35-0,6 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Original Infineon IGBT Modul Leistung FF200r12kt4/FF300r12kt4/FF450r12kt4 auf Lager
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Komplementärer NPN-PNP Leistungs-Bipolartransistor Njw0302g to-3p Njw0281g
FOB Preis:
1,2-3,24 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Herkunft: China
- HS-Code: 85412100
- Provinz: Guangdong, China
Infineon IGBT-Modul Fp50r12kt3 Fp75r12kt4 Fp100r12kt4 Fp150r12kt4
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Sgw20n60 G20n60 IGBT Schweißmaschine Transistor 600V 20A
FOB Preis:
2,00-4,09 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: /
- Standard: /
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Elektronikbauteil Mosfet Stt6n3llh6 Tsop-6 100% Original Neu
FOB Preis:
0,1155 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenz-Vakuum-Elektronenröhre (ITL5-1, YD1160FL)
FOB Preis:
700,00-850,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Irfb4115pbf Elektronische Bauelemente Transistor to-220
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Struktur: PNP
- Provinz: Guangdong, China
NTD6416anlt4g Mosfet - Überlegene Wärmeleistung und Zuverlässigkeit
FOB Preis:
0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Telekom-Leistungs-Halbleiter-Mosfet To263
FOB Preis:
0,2 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Fortgeschrittenes Design VC3904B SOT-23 NPN Siliziumtransistor, Fabrikversorgung Elektronischer Halbleiter
FOB Preis:
0,006-0,0121 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT Modul Bsm150GB120DN2
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Elektronische Bauteile auf Lager Neu und Original Mosfet Irf3205 Irf3205pbf
FOB Preis:
0,27-0,32 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: Plug-in-Triode
- Funktion: Macht Triode
- Stoff: Silizium
- Herkunft: China
- HS-Code: 85412100
- Provinz: Guangdong, China
FUJI IGBT Modul 7mbr100vn120-50 7mbr150vn120 7mbr50vn120-50 7mbr75vn120-50
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Originaler IGBT-Transistor To263 Rjp63K2
FOB Preis:
0,15-0,45 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: Legierung
- Provinz: Guangdong, China
Fgh80n60fd N-Kanal IGBT 600V 80A Feldstopp to-247-3
FOB Preis:
0,7 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Default
- Standard: Default
- Warenzeichen: Default
- Provinz: Guangdong, China
IGBT 900V 60A Transistor Rjh60f7 Elektronische Komponenten
FOB Preis:
0,57-1,23 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Foam
- Standard: Standard
- Warenzeichen: Nova
- Herkunft: China
- Provinz: Guangdong, China
Metallkeramischer Elektronenröhre (ITL12-1)
FOB Preis:
1.200,00-1.500,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Svf12n65f 650V 12A N-Kanal Leistungsmosfet für industrielle Anwendungen
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode
- Struktur: Diffusion
- Provinz: Guangdong, China