Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß Tb4/1250/5868
- Zertifizierung: CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
MOSFETs MDF7N60
- Verpackung: to-220f
- Warenzeichen: KWS
- Herkunft: China
-
Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
ISC Silizium PNP Leistungstransistor 2SB772
- Verpackung: to-126
- Standard: OEM
- Warenzeichen: iscsemi/isc
- Herkunft: Isc
- HS-Code: 85912900
- Produktionskapazität: 100000
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Inchange Semiconductor Company Limited
- Provinz: Jiangsu, China
Vakuumelektron-Gefäß gleichwertig mit Eimac 3cpx1500A7 Energien-Triode, 3100, Fu-3154f
- Zertifizierung: CE,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Strong Cartons
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Elektronische Gefäß-Energien-Tetrode für Cw-Oszillator Fu3537c
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Multifunktionale Diode DBS für den Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Leistung-Transistor M57729L M57729
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
(Neu & Original) Tpl7407 IC-Chip Tpl7407laqpwrq1
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Transistor NPN: Mmbt5551
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
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Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1036
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß 5867A
- Zertifizierung: CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
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Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
Energiemosfet-Transistor Irfp4332
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode
- Standard: TO-247
- Warenzeichen: IR
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E-Solution Technology Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
7092 Vakuum Electron Glass Tube, Equivalent zu Tb5/2500 Glass Tube
- Zertifizierung: CE,CCC
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode Fu 1184ca für Oszillator in der Hochfrequenzheizungs-Anwendung ersetzen Bw1184j2 oder Yd1202
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Brücken-Gleichrichter Dfs Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brücken-Diode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Integrated Circuit Pth12060wah Ti 21+ Bestand
- Zertifizierung: RoHS
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Triode Bw1185j2/Yd1212/Itk90-1/Fu-3092ca
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Wooden Box
- Warenzeichen: HUAGUANG
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Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1179 (PNP)
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-934s HF-200kw, für 200kw Indcution Heizung/Schweißgerät, keramisches Gefäß/Glasgefäß erhältlich
- Zertifizierung: CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Hochfrequenzheizungs-Anwendungen der Elektron-Gefäß-Leistungs-Trioden-Fd-911SD
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Sihon Brücken-Gleichrichter Kbpc Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
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Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Leistung-Transistor Spw20n60c3 Spw20n60
- Verpackung: to-247-3
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Tcan1043admtrq1 Neue und ursprüngliche Bom-Liste Ti integrierte Schaltungen in Texas Chip Instruments
- Zertifizierung: RoHS
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
5868 Vakuumelektron-Glasgefäß, gleichwertig mit Glasgefäß Tb4/1250
- Zertifizierung: CCC
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Elektron-Gefäß-Leistungs-Tetrode Fu3124za für Cw-Oszillator oder wie ein Af oder HF-Endverstärker
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Multifunktionale Diode Sgbp für den Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China