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Über 2892 Produkte gefunden

N15 1,5A 100V NPN to-126 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Schwingungsröhre (E3062), 7t69rb, 8t85rb

  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

Bc847 0,1A 50V NPN SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Hochfrequenz-Triode 3cx15000A7 modulierte Elektronenröhren für Funkgeräte, für Hochfrequenz-Schweißmaschine

  • Zertifizierung: RoHS,ISO
  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

Bc846 0,1A 80V NPN SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

7t69rb Elektronenröhrentriodenröhre für Hochfrequenz-Oszillator

  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

X0605 600V 0,8A to-92 Thyristor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: planar
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

HF-Oszillatorröhre 3cx15000A7, HF-Power-Triodenröhre, 3cx15000A7 HF-Leistungsröhre,

  • Zertifizierung: RoHS,ISO
  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

2 dB1184q-13 3A -50V PNP to-126 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3cx3000A7: Senderöhre, Verstärker HF Oszillator Oszillationsröhre, Zwangsluftkühlung, Rohre, 3cx2500f3, Modulatoren, Mikrowelle

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verpackung: Box
  • Warenzeichen: Jingguang
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

Mmbt3906 -0,2A -40V PNP SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

RF Metall Keramik elektronische Triode 3cx2500f3

  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

S9013 0,5A-30V PNP SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

7t69rb Oszillationsrohr für 8kw Hochfrequenz-Kunststoff-Schweißmaschine

  • Verpackung: Box
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provinz: Fujian, China

Mmbta55 0,5A -60V PNP SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Bc848 0,1A 30V NPN SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Bca60 1000V 60A to-247 Thyristor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: planar
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

9013 0,5A -30V PNP SOT23 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

2 p4 m 400V 2A to-92 Thyristor

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: planar
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

2301psa-S hochwertiger Pchannel-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung, Originalkomponente SOT23 Teile -20V -2A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gebildet in Chna IS

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Verpackung: Original
  • Standard: ce
  • Warenzeichen: FMD
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Energien-Rasterfeld-Gefäß 7092

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Tipp147 Energie Darlington Transistor des Paket-to-220

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Darlington Rohr
  • Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

MOSFET N-CH 50V 210mA SC70 Bss138W Transistor-MOS-Röhre

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Struktur: planar
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Provinz: Guangdong, China

Hochfrequenzröhre

  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: Diffusion
  • Shijiazhuang Ifan Imp&Exp Trade Co., Ltd
  • Provinz: Hebei, China

Gx16n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 500V 16A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode,Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Preiswerter Preis IS

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Verpackung: Original
  • Standard: ce
  • Warenzeichen: FMD
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Dmg2305ux-7 Sot-23-3 Elektronische Bauelemente Integrierte Schaltung Original Stock Halbleiter Diode

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: lichtempfindlich
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Provinz: Guangdong, China

Gx1n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 800V 1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gute Qualität IS

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Verpackung: Original
  • Standard: ce
  • Warenzeichen: FMD
  • Herkunft: China
  • Produktionskapazität: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China
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