Batterieschutz Solar-Wechselrichter VdS-800V 840A RDS (EIN) für N-Kanal Leistungs-Mosfet

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Mikrowelle Transistor, Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO263 SFG280N08KF
• Struktur: Diffusion
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: TO263
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
SFGMOS®  MOSFET  basiert   auf   dem  einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  High  Vth  Serie  ist  speziell für   Hochsysteme   mit  Gate -Antriebsspannung   größer  als 10V optimiert.
 

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery


Anwendungen
      Schaltnetzteil    
      Motortreiber  
       Batterieschutz
      DC/DC -Wandler
      Solar -Wechselrichter
      USV  und  Energie -Wechselrichter


Wichtige  Leistungsparameter  
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	80	V
ID,  Impuls	840	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	2,6	MΩ
Qg	148,1	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	80	V
Gate -Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	280	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	840	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	280	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	840	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	375	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	1000	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,33	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	80			V	VGS  =0  V, ID  =250 PA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 PA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		2,4	2,6	MQ	VGS  = 10 V, ID = 20 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	PA	VDS  =80 V, VGS  =0 V.

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  auf  1 in 2 FR-4 Board  mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad


Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rolle	Rollen /   Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO263-C	800	1	800	5	4000

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
SFG280N08KF	TO263	ja	ja	ja

 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration

1. Welchen Service haben Sie ?

Wir sind Lieferant und Hersteller von Original Power mosfet und IGBT Halbleiter, Wir könnten wettbewerbsfähigen Preis und erwartete schnelle Lieferung und gute Qualität mit prompten Service liefern, haben wir unsere eigene R & D-Team und Ingenieur, um sicherzustellen, den besten Service für Kunden für nachhaltige Unterstützung bieten.  
 
2. Darf ich einige Proben für Tests haben?

Wir bieten unseren Kunden kostenlose Muster an, die nur die Fracht für Proben bezahlen müssen.

3. Was ist mit der Lieferung ?

In der Regel ist die Vorlaufzeit etwa 1-4  Wochen nach Erhalt der Zahlung. Für normale produzierende Teile, bitte sagen Sie uns drei Monate im Voraus als globaler Beschaffungsplan, würden wir die Menge auf Lager das ganze Jahr haben
4. Was ist mit den Zahlungsbedingungen ?

Dies kann anhand der tatsächlichen Auftragslage besprochen werden.  
 
5. Was ist mit den Versandbedingungen ?

EXW SHANGHAI; Wir arbeiten auch mit DHL, FEDEX, TNT und etc. Für große Mengen, ist es an Kunden, die Spedition zu wählen, können wir den Service bieten, um Kunden zu unterstützen   

6. Haben Sie eine Mindestbestellmenge Anforderung?

Basierend auf den verschiedenen Produkten, für den ersten Testauftrag zu testen, können wir die Menge auf Kundenwunsch,  für wiederholte Bestellung, MOQ auf der Mindestverpackungsmenge basiert anbieten.