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Shanghai Winture Electric Co., Ltd.
Shanghai, China
Unternehmensart:
Manufacturer/Factory, Trading Company
Hauptprodukte:
MOSFET Transistor Power Semi Conductor , EV Charger Power MOSFET Transistor Power Semi Co , High Voltage Super Junction MOSFET Trans Istor , New Energy Vehicle DC Charging MOSFET Transistor , 5G Base Station Power Supply MOSFET Transistor , Photovoltaic Inverter MOSFET Transistor , Energy Storage MOSFET Transistor , Data Center Server MOSFET Transistor , Industrielle Beleuchtung Leistungs-MOSFET , DC-Ladeleistung-MOSFET Tansistor
Stammkapital:
10000000 RMB
Blumenbeet:
501~1000 square meters
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO 9001, ISO 14001
Durchschnittliche Lieferzeit:
Peak Season Lead Time: one month
Off Season Lead Time: 3-6 months
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China MOSFET Transistor Power Semi Conductor, EV Charger Power MOSFET Transistor Power Semi Co, High Voltage Super Junction MOSFET Trans Istor, New Energy Vehicle DC Charging MOSFET Transistor, 5G Base Station Power Supply MOSFET Transistor, Photovoltaic Inverter MOSFET Transistor, Energy Storage MOSFET Transistor, Data Center Server MOSFET Transistor, Industrielle Beleuchtung Leistungs-MOSFET, DC-Ladeleistung-MOSFET Tansistor hersteller / lieferanten und bietet qualität Automobilindustrie Ost40n120hmf 10µ S Kurzschlusstoleranz 1200V 40A FRD Integrierter to-247n-Feldanschlag-Graben-IGBT, Für Automotive-Anwendungen Ost40n120hmf 10µ S Kurzschlusstoleranz 1200V 40A FRD-integrierter to-247n-Feld-Stopp-Graben-IGBT, Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit Ost40n120hmf 10µ S Kurzschlusstoleranz 1200V 40A FRD-integrierter to-247n-Feld-Stopp-Graben-IGBT und so weiter.

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Transistor Enhancement To252 Sfs06r06df VdS-60V ID-210A RDS (EIN) -6milliohm QG-30nc Für Schaltnetzteil Pd-Ladegerät N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement To252 Sfs06r06df VdS-60V ID-210A RDS (EIN) -6milliohm QG-30nc Für Schaltnetzteil Pd-Ladegerät N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-1,1 $ / Stück
Mindest. Befehl: 2.500 Stücke
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DC/DC-Wandler Pdfn5*6 Sfg10r08GF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -7milliohm QG-60,7nc Geschalteter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
DC/DC-Wandler Pdfn5*6 Sfg10r08GF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -7milliohm QG-60,7nc Geschalteter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,8 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Mode TO220 Sfs04r02PF VdS-40V ID-390A RDS (EIN) -2,0milliohm QG-96,8nc für Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement Mode TO220 Sfs04r02PF VdS-40V ID-390A RDS (EIN) -2,0milliohm QG-96,8nc für Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-1,1 $ / Stück
Mindest. Befehl: 1.000 Stücke
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Forswitched Mode Power Supply Pd Chargerenhancement Pdfn5*6 Sfs06r013ugf VdS-60V ID-520A RDS (EIN) -1,6milliohm QG-83,6nc Transistor Mode N-Kanal Power MOSFET
Forswitched Mode Power Supply Pd Chargerenhancement Pdfn5*6 Sfs06r013ugf VdS-60V ID-520A RDS (EIN) -1,6milliohm QG-83,6nc Transistor Mode N-Kanal Power MOSFET
FOB Preis: 0,2-1,2 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS (EIN) -8milliohm QG-49,9nc Für DC/DC-Wandler-Motortreiber, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfg10s08GF VdS-100V ID-210A RDS (EIN) -8milliohm QG-49,9nc Für DC/DC-Wandler-Motortreiber, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-1,1 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS (EIN) -1,5milliohm QG-96,8nc Für Pd-Ladegerät, Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs04r02GF VdS-40V ID-200A RDS (EIN) -1,5milliohm QG-96,8nc Für Pd-Ladegerät, Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-1,1 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs12r08gnf VdS-120V ID-420A RDS (EIN) -7milliohm QG-73,6nc Für Batterieschutz Solar-Wechselrichter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs12r08gnf VdS-120V ID-420A RDS (EIN) -7milliohm QG-73,6nc Für Batterieschutz Solar-Wechselrichter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs06r011ugf VdS-60 ID-8 00A RDS (EIN) -1,5milliohm QG-98,3nc für Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs06r011ugf VdS-60 ID-8 00A RDS (EIN) -1,5milliohm QG-98,3nc für Schaltspannungsregler, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement TO220 Sfg110n12PF VdS-120V ID-330A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-68,9nc Für Batterieschutz Solar-Wechselrichter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement TO220 Sfg110n12PF VdS-120V ID-330A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-68,9nc Für Batterieschutz Solar-Wechselrichter N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 1.000 Stücke
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Transistor Enhancement TO220 Sfg100n08PF VdS-80V ID-300A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-53,2nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement TO220 Sfg100n08PF VdS-80V ID-300A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-53,2nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 1.000 Stücke
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VdS-100V ID-420A Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET
VdS-100V ID-420A Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 2.500 Stücke
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Transistor Enhancement TO263 Sfg130n10kf VdS-100V ID-390A RDS (EIN) -4,6milliohm QG-101,6nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement TO263 Sfg130n10kf VdS-100V ID-390A RDS (EIN) -4,6milliohm QG-101,6nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Transistor Enhancement To252 Sfg10s20df VdS-100V ID-90A RDS (EIN) -20milliohm QG-16,2nc Für Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement To252 Sfg10s20df VdS-100V ID-90A RDS (EIN) -20milliohm QG-16,2nc Für Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-1,1 $ / Stück
Mindest. Befehl: 2.500 Stücke
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Transistor Enhancement TO263 Sfg110n12kf VdS-120V ID-330A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-68,9nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
Transistor Enhancement TO263 Sfg110n12kf VdS-120V ID-330A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-68,9nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,1-0,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Batterieschutz Solar-Wechselrichter VdS-800V 840A RDS (EIN) für N-Kanal Leistungs-Mosfet
Batterieschutz Solar-Wechselrichter VdS-800V 840A RDS (EIN) für N-Kanal Leistungs-Mosfet
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET TO220 Sfg100n10PF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -8milliohm QG-55,6nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET TO220 Sfg100n10PF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -8milliohm QG-55,6nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Mindest. Befehl: 1.000 Stücke
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Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET TO220 Sfg250n08PF VdS-80V ID-750A RDS (EIN) -3,2milliohm QG-148,4nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET TO220 Sfg250n08PF VdS-80V ID-750A RDS (EIN) -3,2milliohm QG-148,4nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Mindest. Befehl: 1.000 Stücke
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Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -8milliohm QG-55,6nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -8milliohm QG-55,6nc für den DC/DC-Wandler mit Batterieschutz
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET To252 Sfg10r75df VdS-100V ID-45A RDS (EIN) -75milliohm QG-6,5nc für den DC/Dckonverter mit Schaltregler
Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET To252 Sfg10r75df VdS-100V ID-45A RDS (EIN) -75milliohm QG-6,5nc für den DC/Dckonverter mit Schaltregler
Mindest. Befehl: 2.500 Stücke
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Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg15r25GF VdS-150V ID-180A RDS (EIN) -25milliohm QG-42,8nc für Schaltnetzteil
Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg15r25GF VdS-150V ID-180A RDS (EIN) -25milliohm QG-42,8nc für Schaltnetzteil
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Verbesserung der Solarwechselanlage VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc N-Kanal Mosfet To263 Sfg280n08 Kft Ransistor
Verbesserung der Solarwechselanlage VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc N-Kanal Mosfet To263 Sfg280n08 Kft Ransistor
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Schnelles Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08 kft Ransistor
Schnelles Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08 kft Ransistor
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Sfgmos DC/DC-Wandler Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08kft Ransistor
Sfgmos DC/DC-Wandler Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08kft Ransistor
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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Sfgmos USV-Energiewandler Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08 kft Ransistor
Sfgmos USV-Energiewandler Schaltnetzteil VdS-80V ID-840A RDS (EIN) -2,6milliohm QG-148,1nc Enhancemenn-Kanal MOSFET TO263 Sfg280n08 kft Ransistor
FOB Preis: 0,1-0,6 $ / Stück
Mindest. Befehl: 800 Stücke
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