Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg15r25GF VdS-150V ID-180A RDS (EIN) -25milliohm QG-42,8nc für Schaltnetzteil

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: ST
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: PDFN5*6 SFG15R25GF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
SFGMOS®   MOSFET  basiert   auf   dem  einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige  RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  Low  Vth   Serie wurde  speziell   für den  Einsatz  in  synchrone  Gleichrichtungssystemen    mit  niedriger  Antriebsspannung  entwickelt.
 

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery


Anwendungen
      PD -Ladegerät
      Motortreiber  
      Schaltspannungsregler   
      DC/DC -Wandler
      Schaltnetzteil    


Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	150	V
ID,  Impuls	180	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	25	MΩ
Qg	42,8	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	150	V
Gate -Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	60	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	180	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	60	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	180	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	100	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	2,4	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	1,25	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	150			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	1,5		2,5	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		20	25	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 30 A
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		25	30	MΩ	VGS  = 4,5 V, ID = 20  A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS  =150 V, VGS  =0 V.
Gate-Widerstand	RG		4		Ω	ƒ=1 MHz, offener  Drain

 

Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rolle	Rollen /   Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
PDFN5*6-C	5000	2	10000	5	50000

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
SFG15R25GF	PDFN5*6	ja	ja	ja

 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration