Anwendung: | Solarzelle |
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Chargennummer: | 2022 |
Fertigungstechnologie: | Integrierte Schaltungen Gerät |
Material: | Verbindungshalbleiter |
Modell: | Orientalsemi |
Paket: | DIP (Dual In-line Package) |
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Parameter | Wert | Einheit |
VCES, min. @ 25 Grad | 1200 | V |
Maximale Temperatur der Verbindung | 175 | GRAD |
IC, Impuls | 160 | A |
VCE(Sat), Typ. @ VGE=15V | 1,45 | V |
Qg | 214 | NC |
Produktname | Paket | Markierung |
OST40N120HMF | TO247 | OST40N120HM |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Kollektoremitterspannung | VCES | 1200 | V |
Gate-Emitter-Spannung | VGES |
±20 | V |
Transiente Gate-Emitter-Spannung, TP≤0.5µs, D<0,001 | ±25 | V | |
Dauerkollektor current1), TC=25ºC | IC |
56 | A |
Dauerkollektor current1), TC=100ºC | 40 | A | |
Gepulster Kollektor current2), TC=25ºC | IC, Impuls | 160 | A |
Diode vorwärts current1), TC=25ºC | WENN |
56 | A |
Diode vorwärts current1), TC=100ºC | 40 | A | |
Diode gepulst current2), TC=25ºC | WENN, Puls | 160 | A |
Leistung dissipation3), TC=25ºC | PD |
357 | W |
Leistung dissipation3), TC=100ºC | 179 | W | |
Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tvj | -55 bis 175 | GRAD |
Kurzschlussfestigkeit VGE=15 V, VCC≤600 V Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen<1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen:≥1,0 S TVJ = 150 Grad |
TSC |
10 |
μs |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
IGBT-Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,42 | C/W |
Thermowiderstand der Diode, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,75 | C/W |
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 40 | C/W |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter | V(BR)CES | 1200 | V | VGE = 0 V, IC = 0,5 MA | ||
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter |
VCE (Sat) |
1,45 | 1,8 | V | VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25 GRAD | |
1,65 | V | VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125 GRAD | ||||
1,8 | VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175 GRAD | |||||
Gate-Sender Schwellenspannung |
VGE(th) | 4,8 | 5,8 | 6,8 | V | VCE=VGE, ID=0,5 MA |
Diodenvorwärtsspannung |
VF |
1,9 | 2,1 | V | VGE=0 V, WENN=40 A TVJ =25 GRAD | |
1,6 | VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =125 OC | |||||
1,5 | VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =175 OC | |||||
Gate-Sender Leckstrom |
IGES | 100 | Entfällt | VCE = 0 V, VGE = 20 V. | ||
Nullabgleich-Spannung Kollektorstrom | ICES | 10 | μA | VCE=1200V, VGE=0 V. |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Eingangskapazität | Cies | 11270 | PF | VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ = 100 kHz |
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Ausgangskapazität | Coes | 242 | PF | |||
Kapazität der Umkehrübertragung | Cres | 10 | PF | |||
Einschaltverzögerung | td(ein) | 120 | ns | VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A |
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Anstiegszeit | tr | 88 | ns | |||
Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 246 | ns | |||
Herbstzeit | tf | 160 | ns | |||
Energie einschalten | Aeon | 3,14 | MJ | |||
Energie ausschalten | Eoff | 1,02 | MJ | |||
Einschaltverzögerung | td(ein) | 112 | ns | VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A |
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Anstiegszeit | tr | 51 | ns | |||
Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 284 | ns | |||
Herbstzeit | tf | 148 | ns | |||
Energie einschalten | Aeon | 1,32 | MJ | |||
Energie ausschalten | Eoff | 0,53 | MJ |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Gesamtgebühr für Gate | Qg | 214 | NC | VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A |
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Gate-Emitter-Ladung | Qge | 103 | NC | |||
Gate-Collector-Ladung | Qgc | 40 | NC |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Rücklaufzeit der Diode | trr | 293 | ns | VR = 600 V, WENN = 40 A, DIF/dt=500 A/μs TVJ = 25 C. |
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Rücklaufladung der Diode | Qrr | 2,7 | μC | |||
Diode Spitzenwert Rückkehrstrom | Irrm | 25 | A |
Pakettyp | Einheiten/Rohr | Schläuche/Innenbox | Einheiten/Innenbox | Innenboxen/Karton | Einheiten/Karton |
TO247-P | 30 | 11 | 330 | 6 | 1980 |
Produkt | Paket | Pb-Frei | RoHS | Halogenfrei |
OST40N120HMF | TO247 | ja | ja | ja |
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