Transistor Enhancement To252 Sfs06r06df VdS-60V ID-210A RDS (EIN) -6milliohm QG-30nc Für Schaltnetzteil Pd-Ladegerät N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO252 SFS06R06DF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x37x30cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung

FSMOS^® MOSFET basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, das niedrige RDS_(ON), niedrige Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften erzielt. Die Low Vth Serie wurde speziell für den Einsatz in synchrone Gleichrichtungssystemen mit niedriger Antriebsspannung entwickelt.
 

Funktionen

• NIEDRIGER RDS_(EIN) UND  FOM
• Extrem geringe Schaltverluste  
• Ausgezeichnete Zuverlässigkeit und  Gleichmäßigkeit
• Schnelles Umschalten und sanftes  Recovery

 

Anwendungen

• PD -Ladegerät
• Motortreiber  
• Schaltspannungsregler
• DC/DC -Wandler
• Schaltnetzteil  

 

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min. @ Tj(max)	60	V
ID, Impuls	210	A
RDS(EIN) MAX @ VGS=10V	6	MΩ
Qg	30	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
SFS06R06DF	TO252	SFS06R06D

 

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	60	V
Gate-Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	70	A
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	210	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	70	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	210	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	87	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5^)	EAS	66	MJ
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg,Tj	-55 bis 150	GRAD

 

Thermische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	1,44	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4^)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	60			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	1,0		2,5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		4,7	6	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		6,4	10	MΩ	VGS=4,5 V, ID=10 A
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 20 V
				-100		VGS = -20 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			1	μA	VDS = 60 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,8		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

 

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		2136		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ = 100  kHz
Ausgangskapazität	Coss		332		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		10,6		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		22,9		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 Ω, ID=25 A
Anstiegszeit	tr		6,5		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		45,7		ns
Herbstzeit	tf		20,4		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		30		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=25 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		5,8		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		6,1		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		3,6		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		50,3		ns	VR = 50 V, IS = 25 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		45,1		NC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		1,5		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des  thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  gemessen, das  auf  1  in  2  FR-4  Platine  mit  2oz montiert ist.  Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25  Grad

Produktinformationen

Produkt	Paket	Pb-Frei	RoHS	Halogenfrei
SFS06R06DF	TO252	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration