Transistor Enhancement TO263 Sfg130n10kf VdS-100V ID-390A RDS (EIN) -4,6milliohm QG-101,6nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: ST
• Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO263 SFG130N10KF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
SFGMOS®  MOSFET  basiert   auf   dem  einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  High  Vth  Serie  ist  speziell für   Hochsysteme   mit  Gate -Antriebsspannung   größer  als 10V optimiert.
 

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery


Anwendungen
      Schaltnetzteil    
      Motortreiber  
       Batterieschutz
      DC/DC -Wandler
      Solar -Wechselrichter
      USV  und  Energie -Wechselrichter

 

Wichtige  Leistungsparameter  
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	100	V
ID,  Impuls	390	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	4,6	MΩ
Qg	101,6	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	100	V
Gate -Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	130	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	390	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	130	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	390	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	192	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	235	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	100			V	VGS  =0  V, ID  =250 PA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 PA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		4,0	4,6	MQ	VGS  = 10 V, ID = 20 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	PA	VDS  =100 V, VGS  =0 V.

Gate -Ladeeigenschaften  
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		101,6		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, ID=22  A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		20,6		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		28,7		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		4,2		V

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  auf  1 in 2 FR-4 Board  mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad



Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rolle	Rollen /   Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO263-C	800	1	800	5	4000
TO263-J	800	1	800	10	8000

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
SFG130N10KF	TO263	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration