VdS-100V ID-420A Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO252 SFG10R20DF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Anwendung: pd-Ladung
• Application2: Motortreiber
• application3: dc/dc-Wandler
• application4: Pulverversorgung im Schaltmodus
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1K/Mont

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
SFGMOS®   MOSFET  basiert   auf   dem  einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON) ,  niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen.  Die  Low Vth  Serie  wurde speziell für den  Einsatz  in synchrone  Gleichrichtungssystemen  mit niedriger Antriebsspannung  entwickelt.

Funktionen
.  NIEDRIGER  RDS(EIN)  UND  FOM
.  Extrem  geringe Schaltverluste  
.  Ausgezeichnete  Zuverlässigkeit und  Gleichmäßigkeit
.  Schnelles Umschalten und  sanftes  Recovery

Anwendungen
.  PD -Ladegerät
.  Motortreiber  
.  Schaltspannungsregler  
.  DC/DC -Wandler
.  Schaltnetzteil   

Wichtige Leistungsparameter  

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS,  min . @ Tj(max)	100	V
ID,  Impuls	120	A
RDS(EIN)  MAX  @ VGS=10V	20	MΩ
Qg	19,8	NC

Markierungsinformationen  

 

Produktname	Paket	Markierung
SFG10R20DF	TO252	SFG10R20D

Informationen zu Verpackung und  PIN  





Oriental Semiconductor © Copyright  vorbehalten V2,0

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SFG10R20DF
Enhancement  Mode  N-Kanal  Power  MOSFET

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj=25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	100	V
Gate-Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1) , TC=25  Grad	ID	40	A
Gepulster  Ablauf  current2) , TC=25  oC	ID,  Impuls	120	A
Dauerdiode   vorwärts  current1) , TC=25  Grad	IST	40	A
Diode  gepulst  current2) , TC=25  Grad	IS,  Puls	120	A
Leistung  dissipation3) , TC=25  Grad	PD	72	W
Lawinenabgang  mit einem Impuls energy5)	EAS	30	MJ
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis  150	GRAD

Thermische Eigenschaften

 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand,  Anschlussgehäuse	RθJC	1,74	C/W
Thermischer Widerstand,  Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj=25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Abflussquelle Durchschlagspannung	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Gate-Schwellenwert Spannung	VGS(th)	1,0		2,5	V	VDS=VGS ,  ID=250  ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		17	20	MΩ	VGS=10 V,  ID=8 A
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)			26	MΩ	VGS=4,5 V,  ID=6 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS = 20 V
				-  100		VGS = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS = 100 V, VGS = 0 V.

 

 

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Dynamische Merkmale

SFG10R20DF
Enhancement  Mode  N-Kanal  Power  MOSFET
 

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		1191		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=1  MHz
Ausgangskapazität	Coss		195		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		4,1		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		17,8		ns	VGS = 10 V, VDS=50 V, RG=2,2  Ω, ID=10 A
Anstiegszeit	tr		3,9		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		33,5		ns
Herbstzeit	tf		3,2		ns

Gate-Ladeeigenschaften
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		19,8		NC	VGS = 10 V, VDS=50 V, ID=8 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		2,4		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		5,3		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		3,2		V

Eigenschaften Der Körperdiode
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IST = 8 A, VGS = 0 V
Rückfahrzeit	trr		50,2		ns	VR = 50 V, IST = 8 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		95,1		NC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		2,5		A

Hinweis
1)   berechneter Dauerstrom  auf Basis  der  maximal  zulässigen Grenzschichttemperatur.  2)   sich wiederholende  Nennleistung;  Impulsbreite  durch   max. Grenzschichttemperatur begrenzt.
3)   Pd  basiert  auf  der max. Grenzschichttemperatur,  unter Verwendung des thermischen Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)    der  Wert   von RθJA   wird   mit  dem  Gerät  auf   1  in  2  FR-4  Board  mit 2oz montiert gemessen.  Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25  Grad
5)    VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0,3  mH, Start  Tj=25  Grad