DC/DC-Wandler Pdfn5*6 Sfg10r08GF VdS-100V ID-300A RDS (EIN) -7milliohm QG-60,7nc Geschalteter N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: PDFN5*6 SFG10R08GF
• Struktur: Diffusion
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung

SFGMOS^® MOSFET basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, um niedrige RDS_(ON), niedrige Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften zu erreichen. Die Low Vth Serie wurde speziell für den Einsatz in synchrone Gleichrichtungssystemen mit niedriger Antriebsspannung entwickelt.
 

Funktionen

• NIEDRIGER RDS_(EIN) UND  FOM
• Extrem geringe  Schaltverluste  
• Ausgezeichnete Zuverlässigkeit und  Gleichmäßigkeit
• Schnelles Umschalten und sanftes  Recovery

 

Anwendungen

• PD -Ladegerät
• Motortreiber  
• Schaltspannungsregler
• DC/DC -Wandler
• Schaltnetzteil  

 

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min. @ Tj(max)	100	V
ID, Impuls	300	A
RDS(EIN) MAX @ VGS=10V	7	MΩ
Qg	60,7	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
SFG10R08GF	PDFN5*6	SFG10R08G

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	100	V
Gate-Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	100	A
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	300	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	100	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	300	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	148	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5^)	EAS	130	MJ
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg,Tj	-55 bis 150	GRAD

 

Thermische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,84	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4^)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	100			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	1,0		2,5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		5,8	7,0	MΩ	VGS=10 V, ID=12 A
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		8,5	10,0	MΩ	VGS=4,5 V, ID=9 A
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 20 V
				-100		VGS = -20 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			1	μA	VDS = 100 V, VGS = 0 V.

 

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		3530		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Ausgangskapazität	Coss		560		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		9,0		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		22,5		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 Ω, ID=10 A
Anstiegszeit	tr		8,6		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		66,6		ns
Herbstzeit	tf		42,1		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		60,7		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=10 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		7,2		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		14,6		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		2,9		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=30 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		67		ns	VR = 50 V, IS = 10 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		160		NC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		3,9		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des  thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  gemessen, das  auf  1  in  2  FR-4  Platine  mit  2oz montiert ist.  Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25  Grad
5. VDD=50 V, VGS=10 V, L=0,3 mH, Start Tj=25 Grad

 

Bestellinformationen

 

Pakettyp	Einheiten/Rolle	Rollen/Innenbox	Einheiten/Innenbox	Innenboxen/Karton	Einheiten/Karton
PDFN5*6-C	5000	2	10000	5	50000

Produktinformationen
 

Produkt	Paket	Pb-Frei	RoHS	Halogenfrei
SFG10R08GF	PDFN5*6	ja	ja	ja

 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration

 

1. Welchen Service haben Sie ?

Wir sind Lieferant und Hersteller von Original Power mosfet und IGBT Halbleiter, Wir könnten wettbewerbsfähigen Preis und erwartete schnelle Lieferung und gute Qualität mit prompten Service liefern, haben wir unsere eigene R & D-Team und Ingenieur, um sicherzustellen, den besten Service für Kunden für nachhaltige Unterstützung bieten.  
 
2. Darf ich einige Proben für Tests haben?

Wir bieten unseren Kunden kostenlose Muster an, die nur die Fracht für Proben bezahlen müssen.

3. Was ist mit der Lieferung ?

In der Regel ist die Vorlaufzeit etwa 1-4  Wochen nach Erhalt der Zahlung. Für normale produzierende Teile, bitte sagen Sie uns drei Monate im Voraus als globaler Beschaffungsplan, würden wir die Menge auf Lager das ganze Jahr haben
4. Was ist mit den Zahlungsbedingungen ?

Dies kann anhand der tatsächlichen Auftragslage besprochen werden.  
 
5. Was ist mit den Versandbedingungen ?

EXW SHANGHAI; Wir arbeiten auch mit DHL, FEDEX, TNT und etc. Für große Mengen, ist es an Kunden, die Spedition zu wählen, können wir den Service bieten, um Kunden zu unterstützen   

6. Haben Sie eine Mindestbestellmenge Anforderung?

Basierend auf den verschiedenen Produkten, für den ersten Testauftrag zu testen, können wir die Menge auf Kundenwunsch,  für wiederholte Bestellung, MOQ auf der Mindestverpackungsmenge basiert anbieten.