Transistor Enhancement TO263 Sfg110n12kf VdS-120V ID-330A RDS (EIN) -6,5milliohm QG-68,9nc Für Batterieschutz DC/DC-Wandler N-Kanal Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: To263 SFG110N12KF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
SFGMOS®   MOSFET  basiert   auf   dem  einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige  RDS(ON),  niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften   zu erreichen. Die   High  Vth Serie  ist  speziell  für   Hochsysteme   mit  Gate -Antriebsspannung   größer  als 10V optimiert.
 

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery


Anwendungen
      Schaltnetzteil    
      Motortreiber  
       Batterieschutz
      DC/DC -Wandler
      Solar -Wechselrichter
      USV  und  Energie -Wechselrichter


Wichtige  Leistungsparameter  
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	120	V
ID,  Impuls	330	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	6,5	MΩ
Qg	68,9	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	120	V
Gate -Quellenspannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	110	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	330	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	110	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	330	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	192	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	400	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,65	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	120			V	VGS  =0  V, ID  =250 PA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 PA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		5,0	6,5	MQ	VGS  = 10 V, ID = 30 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	PA	VDS  =120 V, VGS  =0 V.

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  auf  1 in 2 FR-4 Board  mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad
 

 

Bestellinformationen  
 

Paket Typ	Einheiten/ Rolle	Rollen /   Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO263-C	800	1	800	5	4000

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
SFG110N12KF	TO263	ja	ja	ja

 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration