Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfs12r08gnf VdS-120V ID-420A RDS (EIN) -7milliohm QG-73,6nc Für Batterieschutz Solar-Wechselrichter N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: PDFN5*6 SFS12R08GNF
• Struktur: Diffusion
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
FSMOS®    MOSFET   basiert    auf   dem   einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  High  Vth  Serie ist  speziell   für den  Einsatz  in  Stromversorgungssystemen    mit  einer Antriebsspannung    von mehr  als 10V ausgelegt.

Funktionen
      Niedriger  RDS(ein) und FOM (Abbildung  des  Verdienstes)
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Zuverlässigkeit  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery

Anwendungen
      Schaltnetzteil    
      Motortreiber  
       Batterieschutz
      DC/DC -Wandler
      Solar -Wechselrichter
      USV  und  Energie -Wechselrichter

Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS	120	V
ID,  Impuls	420	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	7	MΩ
Qg	73,6	NC

 

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	120	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	105	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	420	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	105	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	420	A
Leistung  dissipation3), TC = 25 Grad	PD	156	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	60	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,8	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	120			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,5		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		5,5	7,0	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 20 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS  =120 V, VGS  =0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,6		Ω	ƒ=1 MHz, offener  Drain

Dynamische  Merkmale
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		5305		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		1547		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		170		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		33,2		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 60 V, RG=2 Ω, ID=30  A
Anstiegszeit	tr		47		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		59,2		ns
Herbstzeit	tf		13		ns

Gate -Ladeeigenschaften  
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		73,6		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 60 V, ID=30  A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		23,5		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		17,5		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		5,1		V

  Eigenschaften Der Körperdiode
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IST = 20 A, VGS  = 0 V
Rückfahrzeit	trr		73,6		ns	VR = 80 V, IST = 30 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		160		NC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		3,8		A

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA   wird   mit  dem  Gerät  gemessen, das  auf der Platine 1 in2  FR-4  mit 2oz montiert ist. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad


Bestellinformationen  
 

Paket Typ	Einheiten/ Rolle	Rollen/   Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenbox / Karton	Einheiten/     Karton
PDFN5  x 6-P	5000	2	10000	5	50000

Produktinformationen  
 

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
SFS12R08GNF	PDFN5  x 6	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration