Boost PFC EV lädt extrem niedrige Schaltverluste Osg65r099hszaf TO247 VdS 650V RDS99mΩ MOSFET mit schnell wiederherstellungsfadendem Dioden-Hochspannungsregler

• Certification: RoHS
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Transportpaket: Carton
• Modell Nr.: OSG65R099HSZAF TO247
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen                                                                                                    

• Niedriger RDS(ein) und FOM
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Ultraschnelle und robuste Diode
• AEC-Q101 qualifiziert für Automotive-Anwendungen

Anwendungen

• PC-Stromversorgung
• Telekommunikationsleistung
• Serverleistung
• EV-Ladegerät
• Motortreiber

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS	650	V
ID, Impuls	96	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	99	MΩ
Qg	66,6	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

Der HTRB-Test wurde bei 600V strenger durchgeführt als der AEC-Q101 Rev.C (80 % V(BR)DSS). Alle anderen Tests wurden gemäß AEC Q101 Rev. E. durchgeführt

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	32	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		20
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	96	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	32	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	96	A
Leistung  dissipation3^) , TC = 25  Grad	PD	278	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	648	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,45	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=1 MA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,090	0,099	Ω	VGS=10 V, ID=16 A
			0,21			VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		7,8		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		3988		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		210		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		7,4		PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen	Co(er)		124		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen	Co(tr)		585		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		46,0		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A
Anstiegszeit	tr		60,3		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		93,0		ns
Herbstzeit	tf		3,7		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		66,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		20,6		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		24,8		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,7		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=32 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		151,7		ns	IST = 20 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,0		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		12,3		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, Start Tj=25 Grad