EV-Ladezulauf-Rücklauf-Konverter, ein Schalter, To251 Osg90r1K2af Leistung Korrektur- und Schaltungs-MOSFET

• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Typ: Fast EV Ladestation
• Zertifizierung: ISO, TUV, RoHS
• Modell Nr.: TO251 OSG90R1K2AF
• Garantie: 24 Monate
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
OSG90R1K2xF verwendet die fortschrittliche GreenMOSTM-Technologie, um einen niedrigen RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften zu bieten. Dieses Gerät eignet sich für aktive Leistungsfaktorkorrektur und Schaltnetzteil-Anwendungen.


Funktionen                                         Anwendungen

1. Niedrige RDS(ein) und FOM                                             -Beleuchtung
2. Extrem niedrige Schaltverluste                               hartschaltender PWM
3. Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit               Stromversorgung des Servers
4. Einfach zu fahren                              Ladegerät

Wichtige Leistungsparameter
 

1. 1. Absolute Höchstwerte bei Tj=25ºC, sofern nicht anders angegeben

 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	900	V
Gate-Quellenspannung	VGS	±30	V
Kontinuierlicher Ablauf current1^), TC=25 ºC	ID	5	A
Kontinuierlicher Ablauf current1^), TC=100 ºC		3,2
Gepulster Ablauf current2^), TC=25 ºC	ID, Impuls	15	A
Power dissipation3) für TO251, TO262, TC=25 ºC	PD	83	W
Power dissipation3^) für TO220F, TC=25 ºC		31
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	211	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg,Tj	-55 bis 150	ºC

 

 

1. &bsp; Wärmeeigenschaften

 

Parameter	Symbol	Wert		Einheit
		TO251/TO262	TO220F
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	1,5	4,0	ºC/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	62,5	ºC/W

 

1. Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 ºC, sofern nicht anders angegeben

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ = 150 ºC
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle bei ein-Zustand	RDS(EIN)		1,0	1,2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2,88			VGS=10 V, ID=2 A, TJ = 150 ºC
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 900 V, VGS = 0 V.

 

1. Dynamische Merkmale

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		874,2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		37,5		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		1,7		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		33,23		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Anstiegszeit	tr		26,50		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		44,00		ns
Herbstzeit	tf		17,63		ns

 

 

1. Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		12,50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V
Gate-Source-Gebühr	Qgs		3,75		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		4,28		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		5,8		V

 

1. Eigenschaften Der Körperdiode

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsstrom	IST			5	A	VGS<Vth
Gepulster Quellenstrom	ISP			15
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=5 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		265,87		ns	VR = 400 V, IS = 5 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		2,88		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		19,51		A

 

1. Hinweis

 

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, Start Tj=25 ºC.

Markierungsinformationen
 

Produktname	Paket	Markierung
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		50
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung  dissipation3^) , TC = 25  Grad	PD	500	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	100	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,25	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 Grad Celsius
Gate-Schwellenwert Spannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		486		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		12,8		PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen	Co(er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen	Co(tr)		1477		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		55,9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		121,2		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		114,2		ns
Herbstzeit	tf		8,75		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		40,1		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		76,1		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,4		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		180		ns	IST = 30 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,5		UC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		15,2		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, Start Tj=25 Grad