EV-Ladebähle bidirektionale PFC-Architektur und Steuerung 3-Phasen Wien Topologie To247 Osg65r035hf Hochspannungsleistung-Mosfet

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Temperature Measurement
• Modell Nr.: OSG65R035HF
• Model: PC817
• Batch Number: 2010+
• Brand: Oriental Semi
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Transportpaket: Air
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Generic Serie ist für extreme Schaltleistung optimiert, um Schaltverluste zu minimieren. Es ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt, um höchste Effizienzstandards zu erfüllen.

Funktionen                                                                                                    

• Niedriger RDS(ein) und FOM
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit

Anwendungen

• PC-Stromversorgung
• LED-Beleuchtung
• Telekommunikationsleistung
• Serverleistung
• EV-Ladegerät
• Solar/USV
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• Wichtige Leistungsparameter
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  Parameter	Wert	Einheit
  VDS, min. @ Tj(max)	700	V
  ID, Impuls	240	A
  RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	35	MΩ
  Qg	153,6	NC

  
  Markierungsinformationen
   

  Produktname	Paket	Markierung
  OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		50
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung dissipation3^) TC=25 Grad	PD	455	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	1700	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,27	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700				VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 Grad Celsius
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,8		4,0	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,028	0,035	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,075			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			5	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,4		Ω	ƒ= 1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		7549,2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		447,1		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		13,2		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		52,3		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		86,8		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		165,2		ns
Herbstzeit	tf		8,5		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		153,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		41,8		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		50,2		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		5,8		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		566,1		ns	VR=400V, IST = 40 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		13,2		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		45,9		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, Start Tj=25 Grad