Wirkung der Wärmeableitung Materialien Ost40n120hmf 10µ S IGBT

• Certification: RoHS, ISO
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: High Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• Modell Nr.: OST40N120HMF -4
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung

OST40N120HMF verwendet die patentierte Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM)-Technologie von Oriental-Semi, um extrem niedrige VCE(Sat), niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Schaltleistung zu bieten. Dieses Gerät ist für Schaltfrequenz-Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.

Funktionen

• Fortschrittliche TGBTTM-Technologie
• Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Schnelle und weiche antiparallele Diode

Anwendungen

• Induktionswandler
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VCES, min. @ 25 Grad	1200	V
Maximale Temperatur der Verbindung	175	GRAD
IC, Impuls	160	A
VCE(Sat), Typ. @ VGE=15V	1,45	V
Qg	214	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Absolute Höchstwerte bei TVJ = 25 Grad Celsius, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Kollektoremitterspannung	VCES	1200	V
Gate-Emitter-Spannung	VGES	±20	V
Transiente Gate-Emitter-Spannung, TP≤0.5µs, D<0,001		±25	V
Dauerkollektor current1^), TC=25ºC	IC	56	A
Dauerkollektor current1^), TC=100ºC		40	A
Gepulster Kollektor current2^), TC=25ºC	IC, Impuls	160	A
Diode vorwärts current1^), TC=25ºC	WENN	56	A
Diode vorwärts current1^), TC=100ºC		40	A
Diode gepulst current2^), TC=25ºC	WENN, Puls	160	A
Leistung dissipation3^), TC=25ºC	PD	357	W
Leistung dissipation3^), TC=100ºC		179	W
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tvj	-55 bis 175	GRAD
Kurzschlussfestigkeit VGE=15 V, VCC≤600 V Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen<1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen:≥1,0 S TVJ = 150 Grad	TSC	10	μs

Thermische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
IGBT-Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,42	C/W
Thermowiderstand der Diode, Anschlussgehäuse	RθJC	0,75	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	40	C/W

 

Elektrische Eigenschaften bei TVJ=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter	V(BR)CES	1200			V	VGE = 0 V, IC = 0,5 MA
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter	VCE (Sat)		1,45	1,8	V	VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25 GRAD
			1,65		V	VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125 GRAD
			1,8			VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175 GRAD
Gate-Sender Schwellenspannung	VGE(th)	4,8	5,8	6,8	V	VCE=VGE, ID=0,5 MA
Diodenvorwärtsspannung	VF		1,9	2,1	V	VGE=0 V, WENN=40 A TVJ =25 GRAD
			1,6			VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =125 OC
			1,5			VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =175 OC
Gate-Sender Leckstrom	IGES			100	Entfällt	VCE = 0 V, VGE = 20 V.
Nullabgleich-Spannung Kollektorstrom	ICES			10	μA	VCE=1200V, VGE=0 V.

 

Dynamische Merkmale
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Cies		11270		PF	VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coes		242		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Cres		10		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		120		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A
Anstiegszeit	tr		88		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		246		ns
Herbstzeit	tf		160		ns
Energie einschalten	Aeon		3,14		MJ
Energie ausschalten	Eoff		1,02		MJ
Einschaltverzögerung	td(ein)		112		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A
Anstiegszeit	tr		51		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		284		ns
Herbstzeit	tf		148		ns
Energie einschalten	Aeon		1,32		MJ
Energie ausschalten	Eoff		0,53		MJ

Gate-Ladeeigenschaften
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		214		NC	VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A
Gate-Emitter-Ladung	Qge		103		NC
Gate-Collector-Ladung	Qgc		40		NC

Eigenschaften Der Körperdiode
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Rücklaufzeit der Diode	trr		293		ns	VR = 600 V, WENN = 40 A, DIF/dt=500 A/μs TVJ = 25 C.
Rücklaufladung der Diode	Qrr		2,7		μC
Diode Spitzenwert Rückkehrstrom	Irrm		25		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf der Platine 1 in2 FR-4 mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad

 

Version 1: TO247-P-Paketumrissmaß

Bestellinformationen
 

Pakettyp	Einheiten/Rohr	Schläuche/Innenbox	Einheiten/Innenbox	Innenboxen/Karton	Einheiten/Karton
TO247-P	30	11	330	6	1980

Produktinformationen
 

Produkt	Paket	Pb-Frei	RoHS	Halogenfrei
OST40N120HMF	TO247	ja	ja	ja

Haftungsausschluss
Die in diesem Dokument enthaltenen Informationen gelten in keinem Fall als Garantie für Bedingungen oder Eigenschaften. In Bezug auf Beispiele oder Hinweise, die hier angegeben werden, typische Werte und/oder Informationen bezüglich der Anwendung des Geräts schließt Oriental Semiconductor hiermit jegliche Garantien und Haftung jeglicher Art aus, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Garantien bezüglich der Nichtverletzung von Rechten an geistigem Eigentum Dritter.

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration