Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

• Fertigungstechnik: Integrated Circuits Geräte
• Material: Element Semiconductor
• Art: N-Typ-Halbleiter
• Paket: SMD
• Signalverarbeitung: Simulation
• Anwendung: Solarzelle
• Modell Nr.: OST75N65HSMF
• Modell: ST
• Chargennummer: 2010+
• Marke: Orientalsemi
• Feature1: Fortschrittliche tgbttm-Technologie
• Feature2: Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste
• Feature3: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• feature4: Schnelle und weiche antiparallele Diode
• Transportpaket: Air
• Spezifikation: 35*30*37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
OST75N65HSMF nutzt die patentierte Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM)-Technologie von Oriental-Semi, um extrem niedrige VCE(Sat), niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Schaltleistung zu bieten. Dieses Gerät ist für Schaltfrequenz-Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.

Funktionen
 Fortschrittliche TGBTTM-Technologie
Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
Schnelle und weiche antiparallele Diode

Anwendungen
Induktionswandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration